1.基于T型结构的单相五电平整流器，包括电感L，开关管Q1、Q2、Q3，二极管D1～D8，电容C1、C2；其特征在于：交流电源VS一侧分别连接二极管D1阳极、二极管D2阴极，该连接节点构成端点b；

交流电源VS另一侧连接电感L一端，电感L另一端分别连接二极管D3阳极、二极管D4阴极，电感L另一端与二极管D3、D4连接节点构成端点a；

开关管Q1漏极分别连接二极管D1阴极、二极管D3阴极、二极管D8阳极，开关管Q1漏极与二极管D1、D3、D8连接节点构成端点c；

开关管Q2源极分别连接二极管D2阴极、二极管D4阴极，开关管Q2源极与二极管D2、D4连接节点构成端点d；

开关管Q1漏极源极分别连接开关管Q3源极、开关管Q2漏极，它们的连接节点构成端点e；

二极管D8阴极连接电容C1一端，电容C1另一端连接电容C2一端，电容C2另一端连接开关管Q2源极；

二极管D8阴极与电容C1一端连接节点构成端点f；

开关管Q3漏极连接电容C1另一端，它们的连接节点构成端点n；

所述开关管Q1、开关管Q2、开关管Q3分别反并联二极管D5、D6、D7；

负载RL两端分别连接端点f、端点d。

2.根据权利要求1所述基于T型结构的单相五电平整流器，其特征在于：所述开关管Q1、开关管Q2、开关管Q3为绝缘栅型双极晶体管IGBT、集成门极换流晶闸管IGCT、或者电力场效应晶体管MOSFET。

3.根据权利要求1所述基于T型结构的单相五电平整流器，其特征在于：所述电容C1、C2为串联直流母线分裂电容。

4.根据权利要求1或2或3所述基于T型结构的单相五电平整流器，其特征在于，包括以下开关模式：开关模式一：电路工作在电网电压正半周期，开关管Q1、Q2导通,二极管D2、D3导通，电容C1、C2向负载RL供电，电流i1＝i2＝-idc下降，电感L电流is线性上升,电感L储能，电压uab＝

0V，开关管Q3漏极-源极电压

开关模式二：电路工作在电网电压正半周期，开关管Q1导通，二极管D2、D3、D6导通，电感L释放能量对电容C2充电，电流is＝i2＝i3上升，电容C1放电，电流-i1＝idc减小，电压uc2上升、uc1下降,开关管Q2漏极-源极电压开关模式三：电路工作在电网电压正半周期，二极管D2、D3、D8导通，电容C1、C2充电，电流is＝i1+idc，电压uc1、uc2上升,开关管Q1漏极-源极电压 uab＝udcV；

开关模式四：电路工作在电网电压负半周期，开关管Q1、Q2导通，二极管D1、D4导通，电容C1、C2向负载RL供电，电流i1＝i2＝-idc下降，电感L电流is线性上升，电感L储能，uab＝0V；

开关模式五：电路工作在电网电压负半周期，开关管Q2、Q3导通，二极管D1、D4、D8导通，电感L释放能量对电容C1充电，-is＝i1+idc，电压uc1上升， 开关管Q1漏极-源极电压开关模式六：电路工作在电网电压负半周期，二极管D1、D4、D8导通，电容C1、C2充电，其电流i1＝i2，-is＝i1+idc，电压uc1、uc2上升，开关管Q1漏极-源极电压 uab＝-udcV。

5.根据权利要求4所述基于T型结构的单相五电平整流器，其特征在于，使用二极管D8进行如下电路保护：

其一，采用二极管D8，保证功率的单向流通，使电容C1、C2的电流只会向负载RL流动，而不会使其倒灌回流；

其二，电路故障时，对电容C1、C2可以起到很好的保护；

其三，模态切换过程中，作为升压钳位二极管；

其四，在开关模式一、开关模式四时，电感L储能过程中电压低于直流母线电压时，起到电压钳位作用。