1.一种高灵敏度MEMS谐振式温度传感器芯片，其特征在于：包括石英玻璃环形基座(6)和石英晶体谐振层(7)；

所述石英晶体谐振层(7)包括菱形力放大谐振器(1)、第一石英臂(2)、第二石英臂(3)、第一锚点(4)和第二锚点(5)；所述第一锚点(4)和第二锚点(5)对称设于石英玻璃环形基座(6)上，所述第一石英臂(2)的一端连接着第一锚点(4)，另一端连接着菱形力放大谐振器(1)的菱形环(10)的一个角，所述第二石英臂(3)的一端连接着第二锚点(5)，另一端连接着菱形力放大谐振器(1)的菱形环(10)对称的另一个角；所述第一锚点(4)、第一石英臂(2)、第二石英臂(3)和第二锚点(5)位于菱形环(10)的短对角线上；

所述菱形力放大谐振器(1)包括菱形环(10)和双端固支石英音叉(12)，所述双端固支石英音叉(12)包括第一石英梁(13)和第二石英梁(14)；所述第一石英梁(13)和第二石英梁(14)平行，两端分别通过隔离器(11)连接着菱形环(10)，且双端固支石英音叉(12)位于菱形环(10)的长对角线上；

所述第一石英梁(13)的顶面和底面分别布有第一电极(15)和第二电极(16)，所述第二石英梁(14)的顶面和底面分别布有第一电极(15)和第二电极(16)；所述第一石英梁(13)上的第一电极(15)和第二石英梁(14)上的第一电极(15)串联，经菱形环(10)和第二石英臂(3)引出连接着第二锚点(5)上的第一压焊块(8)；所述第一石英梁(13)上的第二电极(16)和第二石英梁(14)上的第二电极(16)串联，经菱形环(10)和第二石英臂(3)引出连接着第二锚点(5)上的第二压焊块(9)；

温度变化引起的热膨胀变形在第一石英臂(2)和第二石英臂(3)中产生较大的轴向应力，经菱形环(10)放大作用于双端固支石英音叉(12)两端，增大了一对石英梁内的应力，通过感测第一石英梁(13)和第二石英梁(14)的谐振频率的变化实现对温度变化的高灵敏度测量。

2.根据权利要求1所述的一种高灵敏度MEMS谐振式温度传感器芯片，其特征在于：所述第一锚点(4)、第二锚点(5)和石英玻璃环形基座(6)通过对准标记(17)对准并键合连接在一起。

3.根据权利要求1所述的一种高灵敏度MEMS谐振式温度传感器芯片，其特征在于：所述‑7 ‑1

石英玻璃环形基座(6)的材料为石英玻璃，热膨胀系数约为5.5×10 ℃ ，厚度为100‑200μm。

4.根据权利要求1所述的一种高灵敏度MEMS谐振式温度传感器芯片，其特征在于：所述‑6 ‑1

石英晶体谐振层(7)的材料为X切型石英晶体，Z向热膨胀系数为7.1×10 ℃ ，厚度为80～

150μm；所述第一石英臂(2)和第二石英臂(3)沿石英晶体的Z轴方向，所述双端固支石英音叉(12)的长度沿石英晶体的Y轴方向。

5.根据权利要求1所述的一种高灵敏度MEMS谐振式温度传感器芯片，其特征在于：所述第一石英梁(13)表面、第二石英梁(14)表面、第一压焊块(8)表面和第二压焊块(9)表面均设有铬金层电极材料。