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专利号: 2019111707339
申请人: 大连工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-10-14
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种阴离子掺杂的钴基光阳极材料的制备方法,其特征在于,制备过程如下:S1、将钛基底用去离子水冲洗3~6次,然后加入质量百分比为7~15%草酸溶液中,在

75~95℃的水浴温度下刻蚀1~4个小时,其间每15~25min搅拌一次,刻蚀后用去离子水冲洗3~6次;

S2、将步骤S1中刻蚀后的钛片放入丙酮溶液中超声15~30min,然后在乙醇溶液中超声

15~30min,最后在去离子水中超声25~40min,再在60~70℃下干燥7-9h;

S3、将掺杂量为0.2~1.8mmol的L-半胱氨酸溶于1.40~1.50g的Co(NO3)2·6H2O、1.45~1.55g尿素、0.4~0.5gNH4F和95~105ml去离子水配置的混合溶液,继续搅拌30~45min;

S4、将步骤S2中干燥后所述钛片和步骤S3中搅拌后的所述混合溶液在90℃~150℃下反应4.5~5.5个小时,结束后再将所述钛片用去离子水冲洗3~6次,在60~70℃下真空干燥10-12h,制得深褐色前驱体;

S5、将步骤S4中制得的所述深褐色前驱体以1.5~3℃/min的升温速率加热至350℃~

450℃,煅烧1.5~2.5h,煅烧结束后冷却至室温得到阴离子掺杂的钴基光阳极材料。

2.根据权利要求1所述的一种阴离子掺杂的钴基光阳极材料的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述钛基底的纯度为99.5~99.9%,尺寸包括60×5×0.5~80×15×2mm。

3.根据权利要求1所述的一种阴离子掺杂的钴基光阳极材料的制备方法,其特征在于,步骤S3中以所述Co(NO3)2·6H2O作为钴源,所述钴源还包括硝酸钴、醋酸钴、碱式碳酸钴。