1.一种抗热迁移微焊点结构，其特征在于：包括热端金属基底和冷端金属基底，所述热端金属基底的焊接面上设有Co-P纳米晶薄膜，该Co-P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~

10at.%，所述冷端金属基底的焊接面上设有Ag纳米晶薄膜；

所述热端金属基底和冷端金属基底通过锡基钎料连接，所述锡基钎料与Co-P纳米晶薄膜和Ag纳米晶薄膜的连接处分别形成第一金属间化合物和第二金属间化合物。

2.一种抗热迁移微焊点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，电镀，提供热端金属基底和冷端金属基底，所述热端金属基底的焊接面上沉积有Co-P纳米晶薄膜，该Co-P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1 10at.%，所述冷端金属基底~的焊接面上沉积有Ag纳米晶薄膜；

步骤二，钎焊，将热端金属基底和冷端金属基底的焊接面对准，以锡基钎料作为钎料，利用浸焊在热端金属基底和冷端金属基底的焊接面之间制得具有Co-P/Sn/Ag微互连结构的微焊点。

3.根据权利要求2所述的抗热迁移微焊点的制备方法，其特征在于：所述步骤一中热端金属基底的焊接面上通过超声辅助电沉积、化学镀、蒸镀或溅射得到Co-P纳米晶薄膜，冷端金属基底的焊接面上通过超声辅助电沉积、化学镀、蒸镀或溅射得到Ag纳米晶薄膜。

4.根据权利要求2或3所述的抗热迁移微焊点的制备方法，其特征在于，所述步骤二中浸焊的工艺参数为：焊接温度为150 330℃，预热时间为5 20s，焊接时间为30 200s，冷却方~ ~ ~式为空冷或风冷。

5.根据权利要求2或3所述的抗热迁移微焊点的制备方法，其特征在于：所述热端金属基底和冷端金属基底的材质为Cu、Ni、Co、Au和Ag中的一种。