1.一种提高CMOS图像传感器对比度的非线性列级ADC，其特征在于，包括非线性斜坡发生器和计数器连接作为同一时钟输入，斜坡发生器的输出端连接比较器正输入端，比较器的负输入端连接像素电压采样，比较器的输出端依次连接锁存器和寄存器，寄存器还连接计数器，所述寄存器用于保存计数器的值并且输出结果。

2.一种提高CMOS图像传感器对比度的方法，采用权利要求1所述的一种提高CMOS图像传感器对比度的非线性列级ADC，其特征在于，具体按以下步骤实施：步骤1，比较器对输入像素电压进行采样；

步骤2，经步骤1采样结束后，在时钟信号的控制下，斜坡发生器产生非线性斜坡，同时计数器开始计数；

步骤3，比较器根据正负输入端的电压差值的变化，输出翻转，寄存器将此时计数器的值输出。

3.根据权利要求2所述的一种提高CMOS图像传感器对比度的方法，其特征在于，所述步骤1具体为：采样开关SS闭合时，像素电压Vpixel被采样到比较器的负输入端，然后采样开关断开，比较器的负输入端为采样到的像素电压。

4.根据权利要求2所述的一种提高CMOS图像传感器对比度的方法，其特征在于，所述步骤2具体为：步骤2.1，在时钟信号的控制下，斜坡发生器开始产生斜坡，根据细胞灰度值的分布情况，将斜坡划分为五个区域：细胞核、细胞核质边缘、细胞质、细胞膜和鞘液，五个区域所对应的数字码分别为：0-255，256-345，346-652，653-742，743-1023；

步骤2.2，实现非线性斜坡，结合步骤2.1划分的五个区域，设计了5个电流舵DAC，每个电流舵DAC的输出电流，流过同一参考电阻，在每个电流舵DAC处设计对应的参考电流，即可在斜坡发生器输出端实现非线性斜坡；

步骤2.3，根据步骤2.2设计的5个电流舵DAC，对应设计5个计数器，每个计数器都是从0开始计数，每个计数器都只计该区域的数字码值，最后通过计数器输出产生非线性斜坡的电压值为：Vout＝(D1×I1+D2×I2+…+D5×I5)·R          (1)式中，D1，···，D5为计数器1-5的码值。

5.根据权利要求4所述的一种提高CMOS图像传感器对比度的方法，其特征在于，所述步骤2.3中5个计数器的工作过程具体为：首先计数器1开始计数，与计数器1对应的电流舵DAC开始输出电流，产生第一阶段的斜坡，计数器1计完后输出进位信号CO1，CO1变为1，锁存器锁存计数器1的值，同时计数器2开始计数，与计数器2对应的电流舵DAC开始输出第二阶段的电流，产生第二阶段的斜坡，以此类推直至计数器5计完。

6.根据权利要求4所述的一种提高CMOS图像传感器对比度的方法，其特征在于，所述步骤3具体为：比较器将采样到的像素电压和斜坡电压相比较，开始比较时，比较器输出0，斜坡电压不断增加，当斜坡电压等于像素电压时，比较器输出开始翻转，从0跳变到1，锁存器检测输入信号上升沿的变化后，将该上升沿输出至寄存器，寄存器将上升沿此刻计数器的值保存然后输出，输出的码值即为比较器量化的数字量。