1.一种纳米颗粒跨血管输运高通量筛选的微流控芯片，其特征是：包括流体通道层以及与流体通道层连接的玻璃支撑层，所述流体通道层的下端面与玻璃支撑层的上端面接触，所述流体通道层内设置有流体通道Ⅰ和流体通道Ⅱ，所述流体通道Ⅰ的一端设置有进样口，所述流体通道Ⅰ的另一端设置有出样口，所述流体通道Ⅰ的中部通过间隙通道与流体通道Ⅱ连通，所述流体通道Ⅱ的一端设置有渗出口，所述间隙通道的尺寸与肿瘤血管壁缺少基膜和粘附蛋白导致其血管壁上出现的孔洞的尺寸相适配，所述出样口和渗出口均可通过导管导出，载药纳米颗粒溶液经压力施加装置从进样口注入流体通道Ⅰ，在经过间隙通道时，一部分载药纳米颗粒溶液会通过流体通道Ⅰ从出样口流出，另一部分载药纳米颗粒溶液通过间隙通道进入流体通道Ⅱ并从渗出口流出，收集渗出口流出的样品溶液，更换载药纳米颗粒溶液重复上述过程，对比收集样品溶液中的载药纳米颗粒含量，即可筛选出更适合穿透肿瘤血管壁的载药纳米颗粒。

2.一种如权利要求1中的纳米颗粒跨血管输运高通量筛选的微流控芯片的制备方法，其特征是：所述微流控芯片采用模塑法进行制备。

3.根据权利要求2所述的纳米颗粒跨血管输运高通量筛选的微流控芯片的制备方法，其特征是：包括以下步骤：（1）清洗单晶硅片：用去离子水冲洗，完毕后用氮气吹干，然后置于加热台上静置；

（2）涂胶：将正光刻胶涂于单晶硅片表面，并进行甩涂；

（3）烘焙：将甩涂后的单晶硅片置于加热台上静置；

（4）曝光：将光刻掩膜板置于光刻胶表面，进行曝光；

（5）显影：对曝光后的单晶硅片显影，然后用去离子水清洗单晶硅片的表面，氮气吹干；

（6）后烘：将单晶硅片置于加热台上静置，使硅片表面的光刻胶固化完全，得到硅基模具；

（7）构建微流控芯片：先以PDMS和固化剂按照体积比10:1的比例混合并且搅拌均匀后，倾倒于硅基模具上，除去气泡，置于加热台上静置使PDMS完全固化，再将完全固化后的PDMS从硅基模具上揭下，得到PDMS基体，即为微流控芯片的流体通道层；

（8）清洗玻璃底片：将玻璃底片依次经过无水乙醇和去离子水的冲洗，然后用氮气吹干；

（9）键合：将PDMS基体和玻璃底片一起放入等离子体机中进行清洗，清洗完毕后将PDMS基体和玻璃底片贴合且保证贴合面不留气泡，然后用重物压实。

4.根据权利要求3所述的纳米颗粒跨血管输运高通量筛选的微流控芯片的制备方法，其特征是：包括以下步骤：（1）清洗单晶硅片：首先用去离子水冲洗，然后经无水乙醇冲洗，再用去离子水进行冲洗，完毕后用氮气吹干，然后置于90℃微电脑控温加热台上静置15分钟；

（2）涂胶：将正光刻胶涂于单晶硅片表面，利用匀胶机旋涂仪进行甩涂，转速为700r/min，甩涂时间为20s；

（3）烘焙：将甩涂后的单晶硅片置于60℃微电脑控温加热台上静置15分钟；

（4）曝光：将光刻掩膜板置于光刻胶表面，用曝光机进行曝光；

（5）显影：利用显影液对曝光后的单晶硅片显影，然后用去离子水清洗单晶硅片的表面，氮气吹干；

（6）后烘：将单晶硅片置于60℃微电脑控温加热台上静置40分钟，使硅片表面的光刻胶固化完全，得到硅基模具；

（7）构建微流控芯片：先以PDMS和固化剂按照体积比10:1的比例混合并且搅拌均匀后，倾倒于硅基模具上，用抽真空泵除去气泡，置于60℃微电脑控温加热台上静置一个半小时使PDMS完全固化，再将完全固化后的PDMS从硅基模具上揭下，得到微流控芯片的上层流体通道层；

（8）清洗玻璃底片：将玻璃底片依次经过，无水乙醇和去离子水的冲洗，然后用氮气吹干；

（9）键合：将PDMS基体和玻璃底片一起放入等离子体机中进行清洗，清洗完毕后将PDMS基体和玻璃底片在1分钟内贴合且保证贴合面不留气泡，然后用重物压实，键合时间12ｈ，微流控芯片制作完成。

5.一种纳米颗粒跨血管输运高通量筛选的微流控芯片，其特征是：包括流体通道层以及与流体通道层连接的流体渗透层，所述流体通道层的下端面和流体渗透层的上端面接触，所述流体通道层上设置有流体通道，所述流体通道设置在流体通道层的下端面，所述流体通道的一端设置有进样口，所述流体通道的另一端设置有出样口；所述流体渗透层上设置有渗出口，所述流体通道的中部通过间隙通道与渗出口连通，所述间隙通道的尺寸可与肿瘤血管壁缺少基膜和粘附蛋白导致其血管壁上出现的孔洞的尺寸相适配，所述出样口和渗出口均可通过导管导出，载药纳米颗粒溶液经压力施加装置从进样口注入流体通道，载药纳米颗粒溶液在流体通道流通的过程中，一部分载药纳米颗粒溶液从出样口流出，另一部分载药纳米颗粒溶液会通过间隙通道进入渗出口，收集渗出口内的载药纳米颗粒溶液，更换载药纳米颗粒溶液重复上述过程，对比收集溶液中的载药纳米颗粒含量，即可筛选出更适合穿透肿瘤血管壁的载药纳米颗粒。

6.一种如权利要求5中的纳米颗粒跨血管输运高通量筛选的微流控芯片的制备方法，其特征是：所述微流控芯片采用模塑法进行制备。

7.根据权利要求6所述的纳米颗粒跨血管输运高通量筛选的微流控芯片的制备方法，其特征是：包括以下步骤：（1）清洗单晶硅片：用去离子水冲洗，冲洗完毕后用氮气吹干，然后置于加热台上静置；

（2）涂胶：将正光刻胶涂于单晶硅片表面，并进行甩涂；

（3）烘焙：将甩涂后的单晶硅片置于加热台上静置；

（4）曝光：将光刻掩膜板置于光刻胶表面，进行曝光；

（5）显影：对曝光后的单晶硅片显影，然后用去离子水清洗单晶硅片的表面，氮气吹干；

（6）后烘：将单晶硅片置于加热台上静置，使硅片表面的光刻胶固化完全，得到硅基模具；

（7）构建微流控芯片：先以PDMS和固化剂按照体积比10:1的比例混合并且搅拌均匀后，倾倒于流体通道层的硅基模具上，除去气泡，置于加热台上静置使PDMS完全固化，再将完全固化后的PDMS从流体通道层的硅基模具上揭下，得到流体通道层；然后再以PDMS和固化剂按照体积比15:1的比例混合并且搅拌均匀后，倾倒于流体渗透层的硅基模具上，除去气泡，置于加热台上静置，在PDMS未完全固化时，将其从流体渗透层的硅基模具上揭下，然后迅速与流体通道层对合夹紧；

（8）热键合：将对合夹紧的流体通道层和流体渗透层置于加热台上静置。

8.根据权利要求7所述的纳米颗粒跨血管输运高通量筛选的微流控芯片的制备方法，其特征是：包括以下步骤：（1）首先用去离子水冲洗，然后经无水乙醇冲洗，再用去离子水进行冲洗，完毕后用氮气吹干，然后置于90℃微电脑控温加热台上静置15分钟；

（2）涂胶：将正光刻胶涂于单晶硅片表面，利用匀胶机旋涂仪进行甩涂，转速为700r/min，甩涂时间为20s；

（3）烘焙：将甩涂后的单晶硅片置于60℃微电脑控温加热台上静置15分钟；

（4）曝光：将光刻掩膜板置于光刻胶表面，用曝光机进行曝光；

（5）显影：利用显影液对曝光后的单晶硅片显影，然后用去离子水清洗单晶硅片的表面，氮气吹干；

（6）后烘：将单晶硅片置于60℃微电脑控温加热台上静置40分钟，使硅片表面的光刻胶固化完全，得到硅基模具；

（7）构建微流控芯片：先以PDMS和固化剂按照体积比10:1的比例混合并且搅拌均匀后，倾倒于流体通道层的硅基模具上，用抽真空泵除去气泡，置于60℃微电脑控温加热台上静置一个半小时使PDMS完全固化，再将完全固化后的PDMS从流体通道层的硅基模具上揭下，得到微流控芯片的上层；然后再以PDMS和固化剂按照体积比15:1的比例混合并且搅拌均匀后，倾倒于流体渗透层的硅基模具上，用抽真空泵除去气泡，置于60℃微电脑控温加热台上静置30分钟，在PDMS未完全固化时，将其从流体渗透层的硅基模具上揭下，然后迅速与流体通道层对合夹紧；

（8）热键合：将对合夹紧的流体通道层和流体渗透层置于80℃微电脑控温加热台上静置10小时，微流控芯片制作完成。