1.一种硫铜钴矿赝电容活性物质组合物，其特征在于，包括硫铜钴矿、聚丙烯腈、分散剂，所述硫铜钴矿、聚丙烯腈、分散剂的质量比为700～800:100:1；所述分散剂的分子结构为其中m/n＝4，分子量在300-3000之间。

2.根据权利要求1所述硫铜钴矿赝电容活性物质组合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)硫铜钴矿赝电容活性物质的制备

第1步，按照铜源、钴源、硫源摩尔比为1:2:4分别称取铜源、钴源、硫源，所述铜源为氯化铜、硫酸铜或醋酸铜，所述钴源为氯化钴、硝酸钴或醋酸钴，所述硫源为硫脲或硫化钠；

第2步，将铜源与钴源加入进丙三醇中，快速搅拌直到铜源与钴源完全溶解在丙三醇里为止，所述丙三醇的用量是铜源与钴源总质量的20～25倍；

第3步，在硫源中缓慢滴加去离子水，边滴加边搅拌直到硫源完全溶解；

第4步，将第2步和第3步所获得的溶液进行混合，并搅拌10～20min使离子分散均匀，然后倒入进高压反应釜中密封；

第5步，将高压反应釜放置在175～190℃的烘箱中保温10～15h后取出，待完全冷却后倒出高压反应釜中的混合液，用去离子水稀释并离心后，在60～75℃的真空干燥箱中保温

12～20h，即可获得活性物质——硫铜钴矿纳米晶体；

(2)聚丙烯腈的制备

第1步，将聚丙烯腈纤维浸泡在N’N-二甲基甲酰胺中，然后放置于75～85℃的烘箱中保温15～25min，获得聚丙烯腈溶液，所述N’N-二甲基甲酰胺的质量是聚丙烯腈纤维的40～50倍；

第2步，将聚丙烯腈溶液缓慢滴加到去离子水中，加入分散剂，分散剂与聚丙烯腈的质量比为1:100，边滴加边搅拌，然后经过离心得到聚丙烯腈凝胶；

第3步，将聚丙烯腈凝胶放置于真空裂解炉内，将温度升高至100～120℃保温20～

30min，再将温度升高至240～280℃保温1～2h，然后将温度增加至400～420℃保温3～4h，最后将温度增加至800～850℃保温3～4h，进行高温碳化；

第4步，将所述高温碳化后的物质研碎成粉末，即可获得所述聚丙烯腈；

(3)聚丙烯腈的掺杂

按照质量比1:7～8称取聚丙烯腈与硫铜钴矿活性物质，将它们研磨混合均匀，即可得到所述硫铜钴矿赝电容活性物质组合物。

3.根据权利要求2所述的硫铜钴矿赝电容活性物质组合物的制备方法，其特征在于，所述(2)聚丙烯腈的制备的第2步所述去离子水的用量是聚丙烯腈溶液体积的3～4倍。

4.根据权利要求2所述的硫铜钴矿赝电容活性物质组合物的制备方法，其特征在于，所述(2)聚丙烯腈的制备的第2步所述搅拌速率为1000～1500r/min。

5.根据权利要求2所述的硫铜钴矿赝电容活性物质组合物的制备方法，其特征在于，所述(2)聚丙烯腈的制备的第4步所述粉末的粒度≤3μm。