1.一种高磁导率高频率平面电感，其特征在于：它为软磁薄膜，其化学组分通式如式(Ι)所示，FexNyHfz  (Ι)；

式中，x为0.7～0.9，y为0.05～0.15，z为0.05～0.15。

2.根据权利要求1所述的高磁导率高频率平面电感，其特征在于：它沉积在介质基片的任一表面上，所述介质基片的材质为玻璃、石英或高阻硅，所述高阻硅的电阻率高于10kΩ·cm。

3.根据权利要求1所述的高磁导率高频率平面电感，其特征在于：它的厚度为40～

80nm。

4.根据权利要求1所述的高磁导率高频率平面电感，其特征在于：它的磁导率在0.8GHz频段上高于400，共振频率高于2.9GHz。

5.根据权利要求1所述的高磁导率高频率平面电感，其特征在于：它为平面螺旋型，其线宽为10～50μm、导线间距为10～100μm、总的电感长度为0.1～1mm。

6.根据权利要求1所述的高磁导率高频率平面电感，其特征在于：它的平面电感为5～

500nH。

7.权利要求1至6中任一所述高磁导率高频率平面电感的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：(a)在超净间清洗介质基片；

(b)采用紫外曝光光刻工艺，以光刻胶为掩膜，在介质基片表面刻蚀出电感单元阵列，裂片；

(c)采用磁控溅射工艺在步骤(b)的产品表面上进行沉积，形成软磁薄膜层；

(d)将步骤(c)的产品浸入剥离液中，进行剥离得形成在所述介质基片表面的所述高磁导率高频率平面电感。

8.根据权利要求7所述高磁导率高频率平面电感的制备方法，其特征在于：步骤(c)中，所述磁控溅射工艺采用高真空磁控溅射设备，沉积真空本底抽至1×10-5Pa以下，靶材选用

99.99％纯度的铁靶，铁靶表面上均匀放置多个Hf金属片。

9.根据权利要求8所述高磁导率高频率平面电感的制备方法，其特征在于：步骤(c)中，以Hf金属片的数量控制软磁薄膜中Hf的原子百分比，通过XSP或EDAX能谱测试并确定各原子组分比。

10.根据权利要求8所述高磁导率高频率平面电感的制备方法，其特征在于：步骤(c)中，沉积起辉时采用Ar气，沉积气体为N2，N2占使用气体体积的5～10％。