1.一种硬对硬真空全贴合工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：将原材上片易拆卸固定于一块辅助基板，且辅助基板不遮挡原材上片；

S2：在治具的原材放置区域外安装伸缩件，将原材下片置于原材放置区域，将固定有原材上片的辅助基板支撑于伸缩件，设置伸缩件的高度使原材上片与原材下片保持分离；

S3：将固定于辅助基板的原材上片与原材下片真空压合；

S4：将成品与辅助基板分离。

2.根据权利要求1所述的硬对硬真空全贴合工艺，其特征在于，辅助基板设置为矩形框形状，原材上片可拆卸固定于其内部；伸缩件采用弹簧顶针，沿治具的放置区域边缘安装多个。

3.根据权利要求2所述的硬对硬真空全贴合工艺，其特征在于，步骤S1包括以下步骤：S11：辅助基板进行易撕拉胶贴合处理；

S12：原材上片置于治具的原材放置区域，通过CCD摄像头进行位置确认；

S13：将辅助基板置于治具的弹簧顶针上，通过治具的千分尺定位块调节位置。

S14：将原材上片与辅助基板压合。

4.根据权利要求2所述的硬对硬真空全贴合工艺，其特征在于，步骤S2包括以下步骤：S21：原材下片进行OCA贴附；

S22：将贴合好的辅助基板与原材上片取出；

S23：贴合好OCA的原材下片放入治具的原材放置区域，并使用CCD摄像头进行位置确认。

5.根据权利要求2所述的硬对硬真空全贴合工艺，其特征在于，步骤S3包括以下步骤：S31：去除原材上片的保护膜、OCA离型膜；

S32：贴合好的辅助基板与原材上片置于治具的弹簧顶针上，通过弹簧顶针调节原材上片和原材下片之间的高度，保持原材上片和原材下片分离；

S33：使用治具上的千分尺定位块进行微调，通过治具上的CCD摄像头对上片Mark点和下片Mark点进行重合对位；

S34：进行原材上片和原材下片的真空压合。

6.根据权利要求2所述的硬对硬真空全贴合工艺，其特征在于，步骤S4中，将成品5 s~

10 s内取出，然后去除辅助基板上的易撕拉胶。

7.根据权利要求3所述的硬对硬真空全贴合工艺，其特征在于，步骤S14在正常环境下进行辅助基板与原材上片的真空压合，压力为0.10 Mpa 0.15 Mpa。

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8.根据权利要求5所述的硬对硬真空全贴合工艺，其特征在于，步骤S32原材上片和原材下片之间的距离≧8 mm，辅助基板顶面低于或平齐于治具顶面。

9.根据权利要求5所述的硬对硬真空全贴合工艺，其特征在于，步骤S33中上片Mark点和下片Mark点的重合精度≦0.2 mm。

10.根据权利要求5所述的硬对硬真空全贴合工艺，其特征在于，步骤S34的工艺参数为，压力：0.1 Mpa 0.2 Mpa，真空度：-98 PSI -100 PSI，压合时间：15 s 20 s。

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