1.基于非对称四端口的单相三电平功率因数校正整流器，包括交流电源AC，电感L，开关管Q1、Q2、Q3、Q4，二极管D1、D2、D7、D8、D9、D10，电容Cdc1、Cdc2；其特征在于：交流电源AC一侧分别连接二极管D1阳极、二极管D2阴极，其连接节点构成端点b；

交流电源AC另一侧连接电感L一端，电感L另一端分别连接开关管Q3源极、开关管Q4漏极、二极管D10阴极，其连接节点构成端点a；

开关管Q3漏极分别连接二极管D1阴极、二极管D8阳极，其连接节点构成端点c；

开关管Q4源极分别连接二极管D2阳极、二极管D7阴极，其连接节点构成端点d；

二极管D8阴极连接电容Cdc1一端，其连接节点构成端点p；

电容Cdc1另一端连接电容Cdc2一端，其连接节点构成端点n；

电容Cdc2另一端连接二极管D7阳极，其连接节点构成端点m；

开关管Q1的源极连接二极管D10阳极，开关管Q1的漏极分别连接二极管D9阴极、端点n；

开关管Q2的源极连接二极管D9阳极，开关管Q2的漏极连接端点c；

开关管Q1、Q2、Q3、Q4分别反并联二极管D5、D6、D3、D4；

端点a、端点c、端点d、端点n构成非对称四端口。

2.根据权利要求1所述基于非对称四端口的单相三电平功率因数校正整流器，其特征在于：所述开关管Q1、Q2、Q3、Q4为IGBT或者功率MOSFET。

3.根据权利要求1所述基于非对称四端口的单相三电平功率因数校正整流器，其特征在于：所述电容Cdc1、Cdc2为分裂电容。

4.根据权利要求1所述基于非对称四端口的单相三电平功率因数校正整流器，其特征在于：该整流器拓扑适用于三相整流器中，且其存在四端口结构，用作为模块化多电平的功率单元。

5.根据权利要求1所述基于非对称四端口的单相三电平功率因数校正整流器，其特征在于：包括以下开关模式：

开关模式一：此时为交流电源AC的正半周，开关管Q4导通，电流经过电感L，开关管Q4，最后经过二极管D2流回，此过程电感L储能，负载RL由电容Cdc1、Cdc2供电；

开关模式二：此时为交流电源AC的正半周，开关管Q1导通，电流经过电感L，二极管D3、D7、D9、D10以及电容Cdc2，此过程中，交流电源AC和电感L同时对电容Cdc2充电，负载RL由电容Cdc1电供，开关模式一、开关模式二的转换过程是一个Boost升压过程；

开关模式三：此时为交流电源AC的正半周，电流经过电感L，二极管D2、D3、D7、D8以及电容Cdc1、Cdc2，此过程中，交流电源AC和电感L同时给负载RL和电容Cdc1、Cdc2供电，电容Cdc1、Cdc2充电；

开关模式四：此时为交流电源AC的负半周，开关管Q3导通，电流经过二极管D1，开关管Q3，最后经过电感L回到交流电源AC，此过程中，电感L储能，负载RL由电容Cdc1、Cdc2供电；

开关模式五：此时为交流电源AC的负半周，开关管Q2导通，电流经过二极管D1、D8、D10以及分裂电容Cdc1，最后，流过电感L回到交流电源AC，此过程中，交流电源AC和电感L同时给电容Cdc1充电，开关模式四到开关模式五的转换过程是一个Boost升压过程；

开关模式六：此时为交流电源AC的负半周，电流经过二极管D1、D4、D7、D8以及电容Cdc1、Cdc2，经过电感L回到交流电源AC，此过程中，交流电源AC和电感L同时给负载RL和电容Cdc1、Cdc2供电，电容Cdc1 Cdc2充电。

6.根据权利要求5所述基于非对称四端口的单相三电平功率因数校正整流器，其特征在于：该整流器的本质安全型在于，使用二极管D7、D8进行如下电路保护：其一，采用两个二极管D7 D8，保证功率的单向流通，保证电容Cdc1 Cdc2的电流只会向负载RL流动，而不会使其倒灌回流；

其二，电路故障时，它可以很好地起到保护；

其三，模态切换过程中，作为Boost电压钳位二极管；

其四，在开关模式一、开关模式四时，电感L储能过程中电压低于电容Cdc1 Cdc2电压时，起到电压钳位作用。

7.根据权利要求5所述基于非对称四端口的单相三电平功率因数校正整流器，其特征在于：a、电路的工作过程中，四个开关管在六种开关模式中，只出现在四种开关模式里工作，且每种开关模式中的开关管都仅有一个在工作，每个交流周期内的四个开关管都只存在一个开关模式工作；

b、存在有四端口结构在内，拓扑结构能够向模块化多电平方向改进产生新的直流-直流变换器拓扑。