1.一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件，其特征在于，该磁场传感器件具有多层膜结构，结构为：从上到下依次为导电层、绝缘层、薄膜层、缓冲层，所述导电层用于接入控制电压，从而调控薄膜层垂直各向异性的大小，来调节磁性传感器件的灵敏度；其中薄膜层和缓冲层经过刻蚀微纳加工成的结构为十字结构，所述的薄膜层由CoFeB和MgO构成，CoFeB的厚度为1.1-1.5nm，MgO的厚度为2-3nm。

2.根据权利要求1所述的一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件，其特征在于，所述导电层应为导电材料，为Al、Pt或Ru，厚度为20nm。

3.根据权利要求1所述的一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件，其特征在于，所述绝缘层应为绝缘材料，为SiO2、TiO2或Ta2O5，此层厚度选择50nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件，其特征在于，所述的缓冲层为缓冲材料Ta，厚度应为3-5nm。

5.根据权利要求1所述的一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件，其特征在于，当沿垂直于传感器件厚度方向通入的控制电压Us为一固定值时，传感器件横向两电极通入恒定电流I，检测来自于和电流方向一致的外部磁场H，而传感器件纵向两电极用于采集随外部磁场变化的电压，从而实现对外部磁场的检测。