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专利号: 2019108459297
申请人: 徐州天骋智能科技有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-04-09
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种调控电容型光子态微波量子态转换器,其特征在于,所述调控电容型光子态微波量子态转换器包括:第一接地带、第二接地带、第三接地带和中心导体;

所述第一接地带和所述第二接地带平行设置,所述第一接地带和所述第二接地带之间形成通道,所述通道用于光在其中传播;所述中心导体呈“L”形,所述“L”形中心导体的长边设置在所述第一接地带和所述第二接地带的一端,分别与所述第一接地带和所述第二接地带垂直设置,且所述“L”形中心导体的长边与所述通道相对设置;所述第三接地带设置在所述中心导体远离所述第一接地带和所述第二接地带的一侧,且与所述“L”形中心导体的长边平行设置;该“L”形中心导体( 30) 的另一侧设置有第三接地带( 40) ,使得该中心导体( 30) 的长边与该第三接地带( 40) 之间形成一个等价电容,当该中心导体( 30) 与该第三接地带( 40) 之间等价电容的电压发生改变时,等价电容效应的作用下,该中心导体( 

30) 与该第三接地带( 40) 之间的等价电容之间会产生一个微波量子。

2.根据权利要求1所述的调控电容型光子态微波量子态转换器,其特征在于,所述所述第一接地带和所述第二接地带之间的通道宽度不大于40纳米。

3.根据权利要求2所述的调控电容型光子态微波量子态转换器,其特征在于,所述所述通道形状为梯形,其中,靠近所述中心导体的部分宽度小于远离所述中心导体部分的宽度。

4.根据权利要求1所述的调控电容型光子态微波量子态转换器,其特征在于,所述调控电容型光子态微波量子态转换器还包括光子吸收层,所述光子吸收层贴附在所述中心导体靠近所述通道的位置。

5.根据权利要求4所述的调控电容型光子态微波量子态转换器,其特征在于,所述光子吸收层的材料为石墨烯。

6.根据权利要求1所述的调控电容型光子态微波量子态转换器,其特征在于,所述通道内设置多个凸起。

7.根据权利要求6所述的调控电容型光子态微波量子态转换器,其特征在于,所述所述凸起的材料为贵金属。

8.根据权利要求1所述的调控电容型光子态微波量子态转换器,其特征在于,所述中心导体与所述通道相对的位置设置有凹坑。

9.根据权利要求1所述的调控电容型光子态微波量子态转换器,其特征在于,所述中心导体与所述通道相对的位置设置有不穿透的孔洞。

10.一种调控电容型光子态微波量子态转换系统,其特征在于,所述系统包括光源和权利要求1-9任意一项所述的调控电容型光子态微波量子态转换器,所述光源设置在所述通道远离所述中心导体的一端。