利索能及
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专利号: 2019108397163
申请人: 电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-12-01
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种CMOS毫米波有源准环形器,包括:NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2,PM OS晶体管P1,隔直电容C1、隔直电容C2、隔直电容C3、隔直电容C4、隔直电容C5,偏置电阻R1、偏置电阻R2,变压器型差分电感L1、变压器型差分电感L2、且两个电感的耦合系数为k;其特征在于:所述隔直电容C1一端连接TX端口、另一端连接NMOS晶体管M1的栅极,所述偏置电阻R1一端连接偏置电压Vb1、另一端连接NMOS晶体管M1的栅极,所述隔直电容C4一端连接NMOS晶体管M1的栅极、另一端连接NMOS晶体管M2的栅极,所述NMOS晶体管M1的漏极与电源电压VDD相连、所述NMOS晶体管M1的源极与PMOS晶体管P1的源极相连;

所述隔直电容C2一端连接ANT端口、另一端与NMOS晶体管M1及PMOS晶体管P1的源极相连,所述偏置电阻R2一端连接偏置电压Vb2、另一端连接NMOS晶体管M2的栅极,所述变压器型差分电感L1一端连接电源电压VDD、另一端连接NMOS晶体管M2的漏极,所述NMOS晶体管M2的源极与地相连;

所述隔直电容C3一端连接RX端口、另一端连接PMOS晶体管P1的漏极,所述隔直电容C5一端连接NMOS晶体管M2的漏极、另一端连接PMOS晶体管P1的漏极,所述变压器型差分电感L2一端连接PMOS晶体管P1的漏极、另一端与地相连,所述PMOS晶体管P1的栅极与地相连。