利索能及
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专利号: 2019108396739
申请人: 电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-12-01
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种Class-F压控振荡器,包括:第一谐振腔,交叉耦合管对及第二谐振腔,其特征在于:所述交叉耦合管对由NMOS管M1、NMOS管M2构成,所述NMOS管M1的栅极连接NMOS管M2的漏极,所述NMOS管M1的漏极连接NMOS管M2的栅极;

所述第一谐振腔由电感L1、变容管C1构成;所述变容管C1与电感L1并联后两端分别与NMOS管M1、NMOS管M2的漏极相连,且两个连接端分别作为压控振荡器的输出端OUT+、输出端OUT-;所述电感L1的中心抽头接电源VDD,所述变容管C1由两个变容管串联组成、且串联端接VCO的控制电压Vcont;

所述第一谐振腔由电感L2、电容C2构成,所述电容C2与电感L2并联后两端分别与NMOS管M1、NMOS管M2的源极相连,所述电感L2中心抽头接地。

2.按权利要求1所述Class-F压控振荡器,其特征在于,所述第一谐振腔与第二谐振腔满足条件:第一谐振腔谐振于ω1处,则第二谐振腔谐振于3ω1处。