1.一种原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷，其特征在于，所述氮化硅/硼化锆复相陶瓷是将预氧化的ZrB2、Si粉和烧结助剂MgO-Y2O3经球磨混料，干燥后得到Si-ZrB2-MgO-Y2O3混合粉体；将混合粉体进行造粒和成型，再采用冷等静压在100～300MPa下制得Si-ZrB2-MgO-Y2O3坯体；将坯体在氮气气氛下，升温至1300～1450℃烧结，然后升温至1500～1600℃烧结制得。

2.根据权利要求1所述的原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷，其特征在于，所述氮化硅/硼化锆复相陶瓷的相对密度为95～99％，硬度为18～25GPa，断裂韧性为10～15MPa·m1/2，抗弯强度为800～1200MPa。

3.根据权利要求1所述的原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷，其特征在于，所述Si、预氧化的ZrB2、MgO-Y2O3的质量分比为(50～98)：(1～40)：(1～10)。

4.根据权利要求1所述的原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷，其特征在于，所述的Si粉的纯度为95～99％，Si粉的粒径为0.1～10μm；ZrB2的纯度为95～99％，ZrB2的粒径为0.1～

10μm；MgO粉的纯度98～100％，Y2O3的纯度98～00％。

5.根据权利要求1所述的原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷，其特征在于，所述的预氧化的ZrB2预氧化是将ZrB2在500～1000℃保温1～10h处理制得。

6.根据权利要求1所述的原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷，其特征在于，所述MgO-Y2O3中的MgO：Y2O3的质量比为(3～5)：(5～7)。

7.根据权利要求1所述的原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷，其特征在于，所述升温至

1300～1450℃烧结的时间为0.5～4h；升温至1500～1600℃烧结的时间为0.5～2h。

8.根据权利要求1所述的原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷，其特征在于，所述升温至

1300～1450℃的速率为10～20℃/min；所述升温至1500～1600℃的速率为5～10℃/min。

9.根据权利要求1-8任一项所述的原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：S1.将预氧化的ZrB2，Si粉和MgO-Y2O3烧结助剂，经球磨混料，干燥后得到Si-ZrB2-MgO-Y2O3混合粉体；

S2.将Si-ZrB2-MgO-Y2O3混合粉体进行造粒，然后将造粒粉体进行成型，通过冷等静压在100～300MPa保压1～10min，制得Si-ZrB2-MgO-Y2O3坯体；

S3.将Si-ZrB2-MgO-Y2O3坯体在1～20atm的氮气气氛下，升温至1300～1450℃烧结，然后升温至1500～1600℃烧结，制得氮化硅/硼化锆复相陶瓷。

10.权利要求1～8任一项所述原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷在陶瓷轴承球、陶瓷刀具或导电陶瓷领域中的应用。