1.一种氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：提供基底，将所述基底置于气相沉积设备中；

将六次甲基四胺固体置于所述气相沉积设备中，对所述六次甲基四胺固体进行加热分解，并在还原性气体氛围中采用低压化学气相沉积工艺于所述基底表面形成氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述基底为铜箔，所述制备方法还包括将所述基底置于所述气相沉积设备之前对所述基底进行清洗和化学抛光的步骤。

3.根据权利要求2所述的氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在对所述基底进行化学抛光后对所述基底进行高温退火的步骤，所述高温退火的温度为800～1200℃。

4.根据权利要求2所述的氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述化学抛光包括采用醋酸、硝酸或盐酸进行的化学抛光，或在磷酸条件下进行的电化学抛光中的一种或两种。

5.根据权利要求1所述的氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述基底为表面镀有铜金属层的复合基底。

6.根据权利要求1所述的氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述还原性气体为氢气。

7.根据权利要求1至6任一项所述的氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述气相沉积设备包括第一温区和第二温区，形成所述氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜的过程中，所述基底位于所述第二温区，所述六次甲基四胺固体位于所述第一温区，所述第二温区的温度大于所述第一温区的温度。

8.根据权利要求7所述的氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述第一温区的温度为100～200℃，所述第二温区的温度为700～1000℃。

9.根据权利要求7所述的氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，形成所述氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜的时间为5～100min。

10.一种氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜，其特征在于：所述氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜基于权利要求1至9任一项所述的制备方法制备而成。