1.一种基于石墨烯超表面的反射式隐身方法，其反射式隐身装置包括基质层(1)，所述基质层(1)的上表面铺设第一电介质层(2)，所述第一电介质层(2)的上表面铺设有石墨烯层(3)，其特征在于：所述基质层(1)的上表面固定连接有第一卡块(101)，所述第一电介质层(2)的内部开设有连接槽(201)，所述石墨烯层(3)的内部开设有连接孔(301)，所述连接槽(201)和连接孔(301)均套设在第一卡块(101)的外侧，所述石墨烯层(3)的上表面铺设有第二电介质层(4)，所述第二电介质层(4)的下表面固定连接有第二卡块(401)，所述第二卡块(401)嵌入在连接孔(301)的内部，所述第二电介质层(4)的上表面附着有纳米吸波层(5)；

其反射式隐身方法包括如下步骤：

步骤一、将第一电介质层(2)的连接槽(201)对准锌铝合金材质基质层(1)的第一卡块(101)，然后将连接槽(201)套在第一卡块(101)的外侧，再将石墨烯层(3)的连接孔(301)套设到第一卡块(101)的外侧，随后将第二电介质层(4)的第二卡块(401)嵌入到石墨烯层(3)的连接孔(301)中，再将纳米吸波层(5)铺设到第二电介质层(4)的外表面上，随后将装置固定到待隐身的物品表面上，并且将外部的可控偏置电压装置与石墨烯层(3)电性连接；

步骤二、电磁波在经过纳米吸波层(5)时，会将大部分电磁波以透射波形式传递到石墨烯层(3)中，同时一部分电磁波转换成热能或者其他形式的能，热能和其他形式的能可以传递到装置内部中或者转移到空气中；

步骤三、投射波在进入石墨烯层(3)中后，通过可控偏置电压装置调节石墨烯层(3)的费米能，所述石墨烯层(3)的费米能范围在0.7eV～1.3eV之间，根据纳米吸波层(5)所采用的材料，计算出纳米吸波层(5)的电磁波吸收率，然后调节可控偏置电压装置的输出电压，根据需要将石墨烯层(3)的费米能在可调节范围内进行调节，从而通过石墨烯层(3)对投射波的强度和投射方向进行调整。

2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯超表面的反射式隐身方法，其特征在于：所述第一卡块(101)、连接槽(201)、连接孔(301)和第二卡块(401)的尺寸和数量均相等，且第一卡块(101)贯穿连接槽(201)并且顶端位于连接孔(301)的内部，所述第二卡块(401)的底端位于连接孔(301)的内部，且第二卡块(401)与第一卡块(101)之间保留有间距。

3.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯超表面的反射式隐身方法，其特征在于：所述第一电介质层(2)和第二电介质层(4)均为一种二氧化硅材质的构件，且第一电介质层(2)和第二电介质层(4)的厚度为0.5nm～2nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯超表面的反射式隐身方法，其特征在于：所述石墨烯层(3)与外部的可控偏置电压装置电性连接，且石墨烯层(3)的厚度为0.5nm～2.3nm左右。

5.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯超表面的反射式隐身方法，其特征在于：所述纳米吸波层(5)由水热法制成，且纳米吸波层(5)包括石墨烯层和三氧化二铁，所述纳米吸波层(5)在水热法的加工程序中其主要材质为石墨烯，三氧化二铁附着在石墨烯的加层和表面上，并且三氧化二铁由处于高能状态的一钡铁氧化体经水热分解而成。

6.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯超表面的反射式隐身方法，其特征在于：所述纳米吸波层(5)的电磁波转换率采用公式进行计算，公式为：

2 2

A(ω)＝1‑R(ω)‑T(ω)＝1‑|(S11+S12)/2|‑|(S21+S22)/2| ，在公式中，R(ω)为纳米吸波层(5)的反射率，T(ω)纳米吸波层(5)的透射率，S11为石墨烯层的反射系数，S12为三氧化二铁材质的反射系数，S21为石墨烯层的投射系数，S22为三氧化二铁材质的反射系数。

7.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯超表面的反射式隐身方法，其特征在于：所述基质层(1)采用金属板和碳纤维膜组装而成，且基质层(1)内部的金属板采用铝材质板、铅材质板、铜材质板和金材质板中的一种或多种。