1.一种核壳结构SiO2/SiC材料，其特征在于，包括SiO2核以及包裹于所述SiO2核外表面的SiC壳层。

2.根据权利要求1所述的核壳结构SiO2/SiC材料，其特征在于，所述SiO2核的粒径为

50nm-2μm。

3.一种核壳结构SiO2/SiC材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)以二氧化硅颗粒为硅源，以有机聚合物粘结剂为碳源制备得到二氧化硅和有机聚合物粘结剂的混合分散液；

2)对所述混合分散液进行加热处理得到二氧化硅/有机聚合物粘结剂前驱体；

3)将所述前驱体干燥处理后进行碳化处理得到表面包覆有碳的二氧化硅颗粒；

4)将所述包覆有碳的二氧化硅颗粒在1200-1400℃、真空条件下煅烧2-5h，得到初产物；

5)将所述初产物煅烧除碳处理得到核壳结构SiO2/SiC。

4.根据权利要求1所述的核壳结构SiO2/SiC材料的制备方法，其特征在于，步骤1)中的二氧化硅颗粒为非晶态二氧化硅，所述二氧化硅颗粒的粒度为50nm-2μm。

5.根据权利要求1所述的核壳结构SiO2/SiC材料的制备方法，其特征在于，步骤1)的混合分散液中分散溶剂为乙醇和水，所述有机聚合物粘结剂选自PVP,PAM或PVA的任意一种或几种，所述混合分散液中碳原子和硅原子的摩尔比为(3-5):1。

6.根据权利要求1所述的核壳结构SiO2/SiC材料的制备方法，其特征在于，步骤2)中将所述混合分散液在80-100℃条件下加热搅拌0.5-2h,得到二氧化硅/有机聚合物粘结剂前驱体。

7.根据权利要求1所述的核壳结构SiO2/SiC材料的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述前驱体在80-110℃条件下干燥处理，在450-600℃的氮气气氛下碳化处理0.5-3h。

8.根据权利要求1-7任一所述的核壳结构SiO2/SiC材料的制备方法，其特征在于，步骤

5)中将所述初产物在600-700℃下煅烧2-5h除去未反应完的碳，得到核壳结构SiO2/SiC。

9.一种核壳结构SiO2/SiC材料，其特征在于，根据权利要求3-8任一所述的核壳结构SiO2/SiC材料的制备方法制备得到。

10.根据权利要求1或2任一所述的核壳结构SiO2/SiC材料或根据权利要求10所述的核壳结构SiO2/SiC材料的用途，其特征在于，将所述核壳结构SiO2/SiC用作吸波隐身材料或光催化剂。