1.一种纳米棒薄膜光电探测器，其特征在于，包括：基底，采用SiO2/Si制备的长方形底板；

电极，在所述基底上雕刻有两个偏移预定距离的叉指Au电极，其长宽之比为10:1，指间距与所述叉指Au电极宽度相同；

半导体介质，在所电极之间填充有硒化物纳米棒，形成薄膜；

所述硒化物纳米棒为(Ag3xIn1-x)2Se3，x=0～0.05。

2.一种硒化物纳米棒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将KOH、SeO2粉、AgNO3和In(NO3)3放入反应容器中，采用机械摇晃/搅拌，充分混合反应物；

S2、向反应容器中加入有机溶剂和少量的乙二胺，在惰性气体保护下，升温至80～100℃，并采用超声波搅拌，至固体全部溶解；

S3、然后在惰性气体保护下，继续升温至200～240℃，并剧烈搅拌，保温12～24小时；

S4、待其冷却至室温后，收集、离心、洗涤和干燥纳米棒产物。

3.根据权利要求2所述的硒化物纳米棒的制备方法，其特征在于，所述S1步骤中KOH、SeO2粉、AgNO3和In(NO3)3按照摩尔比为100～1000：5：3x：5-3x进行投料，x=0～0.05。

4.根据权利要求2所述的硒化物纳米棒的制备方法，其特征在于，所述S1步骤中反应容器为聚四氟乙烯制成或在其内部涂有聚四氟乙烯涂层。

5.根据权利要求2所述的硒化物纳米棒的制备方法，其特征在于，所述S2步骤中有机溶剂为非配位溶剂，至少为中长链的单不饱和脂肪酸、中长链的烷基胺、中长链的单不饱和烯烃或中长链的环烷烃中的一种。

6.根据权利要求2所述的硒化物纳米棒的制备方法，其特征在于，所述S2步骤中乙二胺的加入量为加入有机溶剂体积的1～5%。

7.根据权利要求2所述的硒化物纳米棒的制备方法，其特征在于，所述惰性气体至少为氮、氩、氖中的一种。

8.根据权利要求2所述的硒化物纳米棒的制备方法，其特征在于，所述S4步骤具体为：S41、将产物用去离子水溶解，清洗，再使用稀盐酸调节去除产物表面的氢氧化钾然后继续使用去离子水清洗；

S42、然后将清洗后的产物加入丙酮清洗剂中，使用超声波充分搅拌，然后进行离心；

S43、取出离心后的下层固体产物，加入异丙醇清洗剂中，使用超声波充分搅拌，然后进行离心；

S44、取出离心后的下层固体产物，重复上述S42～S42步骤2～3次；

S45、最后的离心产物在50～80℃的真空干燥箱中干燥，得到所述纳米棒。

9.一种硒化物纳米棒，其特征在于，基于权利要求1中的(Ag3xIn1-x)2Se3纳米棒，x=0～

0.05，采用权利要求2～8中的任一项的制备方法所得到的产物。