1.一种对称型太赫兹偏振不敏感人工微结构，包括衬底介质基板(1)，其特征在于：所述衬底介质基板(1)上设置有金属结构，所述金属结构由多个十字金属谐振单元(2)周期性排列组成，每个十字金属谐振单元(2)包括正方形外框(3)和十字形格栅结构，所述十字形格栅结构为正方形外框(3)内部设置的十字形且中心处被隔断的格栅。

2.根据权利要求1所述的一种对称型太赫兹偏振不敏感人工微结构，其特征在于：所述格栅结构采用金属材料，所述格栅结构包括四个矩形条(4)和四个三角形条(5)，一个矩形条(4)末端对应连接一个三角形条(5)，三角形条(5)的底边与矩形条(4)的宽度相等，且三角形条(5)的顶角均指向正方形外框(3)的内中心处，一个矩形条(4)与一个三角形条(5)形成一组，总共形成交叉垂直的四组，且四组在正方形外框(3)的内中心有一个十字形隔断，所述十字形隔断的每条隔断与矩形条(4)呈45度角；

相邻三角形条(5)的对边之间相互平行，且平行边之间的距离为1.8～2.3μm。

3.根据权利要求2所述的一种对称型太赫兹偏振不敏感人工微结构，其特征在于：四个所述三角形条(5)形状均为等腰直角三角形或者等边三角形。

4.根据权利要求2所述的一种对称型太赫兹偏振不敏感人工微结构，其特征在于：所述格栅结构采用金属材料，金属材料为金、银、铝、铜中的任意一种。

5.根据权利要求2所述的一种对称型太赫兹偏振不敏感人工微结构，其特征在于：所述正方形外框(3)的边长为174μm，所述正方形外框(3)的宽度5μm，所述正方形外框(3)的厚度为0.2μm；且所述矩形条(4)、三角形条(5)的厚度均等于所述正方形外框(3)的厚度；

所述衬底介质基板(1)形状为正方形，所述衬底介质基板(1)的高度为220μm，一个十字金属谐振单元(2)底部对应部分的衬底介质基板的边长为200μm；

所述相邻三角形条(5)的对边之间相互平行，且平行边之间的距离为2.0μm。

6.根据权利要求1所述的一种对称型太赫兹偏振不敏感人工微结构，其特征在于：所述衬底介质基板(1)采用砷化镓材料或者陶瓷介质材料或者晶体介质材料或者半导体材料。

7.根据权利要求6所述的一种对称型太赫兹偏振不敏感人工微结构，其特征在于：所述衬底介质基板(1)采用砷化镓材料，其相对介电常数为12.9，磁导率为1。