1.一种差分输入端口的SIW馈电结构，其特征在于，包括TE10模SIW和位于所述TE10模SIW上方的TE20模SIW；

所述TE10模SIW包括面对面错开的一对功分结构，每一功分结构包括朝向第一方向的N级功分臂，两个所述功分结构的2N个最后级功分臂面对面设置，并在第二方向上错开TE10模横向半波长的宽度一一对接且对接线沿第一方向；TE10模SIW顶部沿对接线开设2N个第一耦合缝隙以提供2N个具有反相特性的信号激励所述TE20模SIW，第一耦合缝隙的间隔设置为TE20模横向半波长的宽度，所述TE20模SIW包括2N个TE20模SIW腔，所述2N个TE20模SIW腔顶部N形成有与之一一对应的2组第二耦合缝隙，每一组由M对第二耦合缝隙组成，每一对第二耦合缝隙输出一对差分信号，以激励辐射单元阵形成天线阵列；

每一所述TE20模SIW腔沿对应的第一耦合缝隙所在的纵向对称线上在避开第一耦合缝隙的其他部分设置有短路通孔，以抑制所述TE20模SIW腔的主模。

2.根据权利要求1所述的SIW馈电结构，其特征在于，包括两层介质基板，底部介质基板的下表面设置第一金属地、上表面设置第二金属地，顶部介质基板的下表面设置第三金属地、上表面设置第四金属地，所述第一金属地上在每一功分结构的输入位置处开设有与之对应的馈电输入缝隙，第二、第三金属地共同形成的整体开设所述2N个第一耦合缝隙，第四金属地开设所述2N组第二耦合缝隙；

贯穿底部介质基板、第一金属地、第二金属地的金属化过孔形成所述一对功分结构，贯穿顶部介质基板、第三金属地、第四金属地的金属化过孔形成的所述2N个TE20模SIW腔。

3.一种天线阵列，其特征在于，由三层介质基板压合形成，三层介质基板的平面尺寸相同，其中，最底部的两层介质基板被设计成如所述权利要求1-2任一项所述的SIW馈电结构。

4.根据权利要求3所述的天线阵列，其特征在于，最顶部的介质基板镂空形成多个部分，所述多个部分包括2N个矩形部，每一所述矩形部的两个长边与其他部分之间为镂空区域，每一矩形部的两个短边其他部分连接；

每一所述矩形部上开设有多排金属化过孔以将整个所述矩形部划分为沿所述矩形部分布的M个矩形谐振器单元，所述谐振器单元的长边长度大于1.5倍短边长度，谐振器单元的工作模式电场垂直于其长边；

2N个矩形部与2N组第二耦合缝隙一一对应，每一矩形部上的M个矩形谐振器单元和与之对应的一组第二耦合缝隙中的M对第二耦合缝隙一一对应。