1.一种基于光敏硅的太赫兹多频线性频率转换器，包括介质基底(1)，其特征在于：还包括四组金属结构和光敏半导体，所述四组金属结构和光敏半导体均附着在所述介质基底(1)一侧表面上，四组金属结构不交叉不重叠地分布在所述介质基底(1)上，四组金属结构为形状相同而尺寸不同的金属同心开口谐振环，且各组金属结构的同心开口谐振环的开口尺寸相同、开口方向相同；

每组金属结构包括两个形状相同而尺寸不同的金属同心开口谐振环，且两个谐振环之间设置有光敏半导体，且光敏半导体具有与每组金属结构相同形状、大小的开口；

四组金属结构中加载的光敏半导体，在不同的激光功率作用下获得不同本征模式，实现本征模式之间的切换，获得线性频率增益；

所述四组金属结构为形状相同而尺寸不同的金属同心开口谐振环，且谐振环为环形谐振环；

所述金属结构包括第一组金属结构、第二组金属结构、第三组金属结构和第四组金属结构，所述第一组金属结构包括第一谐振环(2)和第二谐振环(4)，第一谐振环(2)和第二谐振环(4)之间设置有第一光敏半导体(3)；所述第二组金属结构包括第三谐振环(5)和第四谐振环(7)，第三谐振环(5)和第四谐振环(7)之间设置有第二光敏半导体(6)；所述第三组金属结构包括第五谐振环(8)和第六谐振环(10)，第五谐振环(8)和第六谐振环(10)之间设置有第三光敏半导体(9)；所述第四组金属结构包括第七谐振环(11)和第八谐振环(13)，第七谐振环(11)和第八谐振环(13)之间设置有第四光敏半导体(12)；

所述第一谐振环(2)、第二谐振环(4)、第三谐振环(5)、第四谐振环(7)、第五谐振环(8)、第六谐振环(10)、第七谐振环(11)和第八谐振环(13)的宽度均为3μm，外半径分别为

44.5μm、30μm、37.5μm、26.5μm、30μm、22.5μm、26.5μm、20μm；

各组金属结构的同心开口谐振环的开口尺寸相同，且开口尺寸均为10μm；

四组金属结构构成的单元的边长为260μm；

第一光敏半导体(3)、第二光敏半导体(6)、第三光敏半导体(9)、第四光敏半导体(12)，拥有与每组金属结构相同形状、大小的开口，开口间隙均为10μm。

2.根据权利要求1所述的一种基于光敏硅的太赫兹多频线性频率转换器，其特征在于：所述四组金属结构为形状相同而尺寸不同的金属同心开口谐振环，且谐振环为方形谐振环。

3.根据权利要求1所述的一种基于光敏硅的太赫兹多频线性频率转换器，其特征在于：所述介质基底(1)为蓝宝石基底，其介电常数为12.94，厚度为470μm，周期长度为260μm。

4.根据权利要求1所述的一种基于光敏硅的太赫兹多频线性频率转换器，其特征在于：各组金属结构材质为金属金，其电导率为4.56×107S/m，厚度为200nm。

5.根据权利要求1所述的一种基于光敏硅的太赫兹多频线性频率转换器，其特征在于：所述光敏半导体采用光敏硅或者半掺杂GaAs光敏半导体。

6.根据权利要求5所述的一种基于光敏硅的太赫兹多频线性频率转换器，其特征在于：所述光敏半导体采用光敏硅，且光敏硅厚度为500nm，介电常数为11.9。

7.根据权利要求6所述的一种基于光敏硅的太赫兹多频线性频率转换器，其特征在于：所述光敏半导体采用光敏硅，光敏硅在光泵浦太赫兹探测系统中获得100mW泵浦光的激励，所述光敏硅在无泵浦激励时电导率为25S/m，在100mW激励下电导率为5×103S/m。