1.一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、制备改性TiB2粉体，具体为：

S1、将TiB2粉体和SnCl4·5H2O分散在去离子水中，再调节溶液PH至10-11，得到第一分散液；

S2、将第一分散液转移到反应釜中，于180-240℃下反应24h，最后冷却至室温、过滤，滤饼依次用蒸馏水和无水乙醇洗涤得到固体，备用；

S3、将S2得到的固体于100℃的真空环境下干燥12h，即得到纳米SnO2为包覆层的SnO2@TiB2杂化物粉体；

步骤二、配置SnO2@TiB2/聚氨酯溶液；

步骤三、将SnO2@TiB2/聚氨酯溶液通过旋涂或浇铸成膜或其他成膜方式，在基材上成膜，并放入干燥箱内，在70-100℃条件下干燥15-20h，得到抗静电导热薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法，其特征在于：所述TiB2为各种工业级片状TiB2。

3.根据权利要求1所述的一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法，其特征在于：S1中，采用25％NH3·H2O调节溶液PH至10-11。

4.根据权利要求1所述的一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法，其特征在于：S1中，所述TiB2粉体与SnCl4·5H2O的摩尔比为100:1-1:100，所述SnCl4·5H2O为分析纯级别，且其摩尔浓度为0.05-0.5mol/L。

5.根据权利要求1所述的一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法，其特征在于：S3中，所述SnO2@TiB2杂化物的包覆层厚度在5nm-100nm。

6.根据权利要求1所述的一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤二中配置SnO2@TiB2/聚氨酯溶液包括：将S3得到的SnO2@TiB2杂化物粉体超声分散到聚氨酯的丙酮/DMF溶液中，得到第二分散液，该第二分散液即为SnO2@TiB2/聚氨酯溶液；其中，丙酮/DMF的体积比为1:1。

7.根据权利要求1至6任一项所述的一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法，其特征在于：步骤二中，所述SnO2@TiB2杂化物与聚氨酯的质量比为0.1:100-80:20。

8.根据权利要求7所述的一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法，其特征在于：所述聚氨酯为线性聚氨酯。

9.一种利用如权利要求1至8任一项所述的二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法制得的二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜。