1.一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，采用压电传感器与忆阻器进行集成，以压力发电片和外接电路构成压电传感器，实现通过施加压力的方法改变忆阻器的阻值，从而完成对数据的记录与存储。

2.根据权利要求1所述的一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，忆阻器自下而上由下电极、阻变层和上电极依次叠加设置而成，阻变层为Ga2O3薄膜。

3.根据权利要求2所述的一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，下电极厚度为50-200nm、阻变层厚度为10-100nm、上电极厚度为50-200nm。

4.根据权利要求2所述的一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，下电极为导电金属、金属合金、导电金属化合物或其他导电材料中的一种。

5.根据权利要求2所述的一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，上电极为导电金属、金属合金、导电金属化合物或其他导电材料中的一种。

6.根据权利要求4或者5所述的一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，导电金属为Ta、Cu、Ag、W、Ni、Al或Pt的一种；金属合金为Pt/Ti、Ti/Ta、Cu/Ti、Cu/Au、Cu/Al或Al/Zr合金的一种；导电金属化合物为TiN或ITO；其他导电材料如AZO、FTO、石墨烯或者纳米银线的一种。

7.根据权利要求1或者2所述的一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，压力发电片的按压区通过导线与忆阻器的下电极相连，且通过导线分别与第一电阻的一端和第二电阻的一端相连；压力发电片的非按压区通过导线分别与忆阻器的上电极和下电极相连，且第一电阻的另一端连接在压力发电片的非按压区和忆阻器下电极之间的导线上；第二电阻的另一端与三极管的基极相连，三极管的集电极连接在压力发电片的非按压区和忆阻器下电极之间的导线上，三极管的发射极与电感的一端相连，电感的另一端与忆阻器上电极相连。

8.根据权利要求7所述的一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，其特征在于，三极管的发射极与电感的一端相连并接地。

9.如权利要求7所述的一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统的运行方式，其特征在于，写入数据时，连同写入线路，断开擦除线路，对压力发电片施压，电信号通过写入线路，压力发电片与忆阻器下电极相连，电感与忆阻器上电极相连，取得低阻值和大电流，视为数据“0”；进行擦除时，断开写入线路，连接擦除线路，对压力发电片施压，电信号通过擦除线路，压力发电片的按压区和非按压区分别与忆阻器下电极、上电极相连，取得高阻值和小电流，视为数据“1”，即通过两个电信号线路的作用，即可实现二进制中数据“0”和“1”的交替切换，完成针对数据的存贮和擦除。

10.Ga2O3薄膜在基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统中的应用。