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专利号: 2019104317225
申请人: 桂林理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-05-14
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种制备金-硫化银-磷酸铅异质结纳米薄膜的方法,其特征在于具体步骤为:

(1)将事先裁好的ITO导电玻璃电极,分别经由分析纯丙酮、分析纯乙醇和二次水超声清洗5 min,干燥后用万能表测出导电面待用;

(2)依次量取1 mL浓度为0.2 mol/L Pb(NO3)2、1 mL浓度为0.2 mol/L EDTA、3.5 mL浓度为0.3 mol/L Na2S2O3和4 mL浓度为1.25 mol/L Na2SO4溶液置于20 mL烧杯中均匀混合,制得电沉积PbS薄膜的底液;

(3)在步骤(2)中制得的电沉积PbS薄膜的底液中建立三电极体系,其中,工作电极为步骤(1)中制得的导电玻璃电极,对电极为Pt电极,参比电极为Ag/AgCl电极,用循环伏安法进行电沉积,电位扫描范围为-1.0 V   0 V,扫描速度为0.05 V/s,扫描段数为40   120,电~ ~沉积结束后,将电极取出并用二次水冲洗干净,空气烘干后即可得到PbS薄膜;

(4)将步骤(3)制得的PbS薄膜置于250℃管式炉,氮气氛围中加热1 h,待管式炉冷却后将PbS薄膜取出;

(5)于20 mL的玻璃瓶中依次加入700 μL浓度为 0.02 mol/L的Na2HPO4溶液,80 μL浓度为0.01 mol/L的AgNO3溶液,100 μL质量分数为1%的十二烷基苯磺酸钠溶液,7 mL二次水,制得生长Ag2S-Pb3(PO4)2薄膜的生长液,将步骤(4)中制得的PbS薄膜正面朝上放入生长溶液中,于60℃恒温水浴中反应24 h后取出PbS薄膜,以二次水冲洗干净,烘干即可得到Ag2S-Pb3(PO4)2薄膜;

(6)于20 mL的玻璃瓶中依次加入300 μL浓度为0.2 mol/L、pH为6的HAc-NaAc缓冲溶液,15 μL   100 μL质量分数为 1% 的氯金酸溶液,80 μL浓度为0.2 mol/L的十六烷基三~甲基氯化铵溶液,7 mL二次水,制得生长Au-Ag2S-Pb3(PO4)2薄膜的生长液,将步骤(5)中制得的Ag2S-Pb3(PO4)2薄膜置正面朝上放入该生长液中,于60 ℃恒温水浴反应0.5 h ~ 24 h后取出,以二次水冲洗干净,烘干即可得到Au-Ag2S-Pb3(PO4)2纳米异质结薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述步骤(1)中的ITO导电玻璃为掺杂氧化铟锡的玻璃电极。