1.一种用于获取裂纹/晶界三维信息的EBSD设备样品台，其特征在于，包括：立柱，所述立柱上设置有第一检测面和第二检测面，所述第一检测面和第二检测面均与水平面呈70度夹角；所述第一检测面与第二检测面相交；所述第一检测面和第二检测面相互垂直。

2.如权利要求1所述的一种用于获取裂纹/晶界三维信息的EBSD设备样品台，其特征在于，所述立柱为多棱面体。

3.如权利要求1所述的一种用于获取裂纹/晶界三维信息的EBSD设备样品台，其特征在于，所述立柱为圆柱体。

4.一种EBSD设备，其特征在于，包括至少一个如权利要求1-3中任一项所述的用于获取裂纹/晶界三维信息的EBSD设备样品台。

5.一种样品裂纹三维信息的获取方法，其特征在于，包括：

将带有裂纹样品切割成长方体形状，使得裂纹处于两个相交的表面，并对裂纹所在的两个表面做抛光处理；

将抛光处理好的样品固定在如权利要求1-3中任一项所述的用于获取裂纹/晶界三维信息的EBSD设备样品台的第一检测面上，使得裂纹所在的第一表面与第一检测面平行，裂纹所在的第二表面与第二检测面平齐；

利用EBSD设备对裂纹在第一表面进行取向信息采集，得到裂纹所在晶粒在第一表面上的欧拉角及裂纹矢量信息；

裂纹所在的第一表面取向信息采集完成后，将如权利要求1-3中任一项所述的用于获取裂纹/晶界三维信息的EBSD设备样品台旋转90°，使得第二检测面正对EBSD设备探头，保持样品坐标系不变，得到裂纹所在晶粒在第二表面上的欧拉角及裂纹矢量信息，进而获得裂纹的晶体学指数三维信息。

6.如权利要求5所述的一种样品裂纹三维信息的获取方法，其特征在于，对裂纹所在的两个表面进行振动抛光或电解抛光处理，去掉样品表面的应变层使其满足EBSD检测所需的表面条件。

7.如权利要求5所述的一种样品裂纹三维信息的获取方法，其特征在于，将抛光处理好的样品用导电胶粘固定在用于获取裂纹/晶界三维信息的EBSD设备样品台的第一检测面上。

8.一种样品晶界三维信息的获取方法，其特征在于，包括：

将待确定晶界晶面指数的样品切割成长方体形状，使得待检测的晶界同时出现在样品的两个相交的表面，并对这两个相交表面做抛光处理；

将抛光处理好的样品固定在如权利要求1-3中任一项所述的用于获取裂纹/晶界三维信息的EBSD设备样品台的第一检测面上，使得晶界所在的第一表面与第一检测面平行，晶界所在的第二表面与第二检测面平齐；

利用EBSD设备晶界在第一表面进行取向信息采集，得到晶界所属晶粒在第一表面上的欧拉角及晶界在第一表面上的矢量信息；

晶界所在的第一表面取向信息采集完成后，将如权利要求1-3中任一项所述的用于获取裂纹/晶界三维信息的EBSD设备样品台旋转90°，使得第二检测面正对EBSD设备探头，保持样品坐标系不变，得到晶界所属晶粒在第二表面上的欧拉角及晶界在第二表面上的矢量信息，进而获得晶界所属晶面的晶体学指数三维信息。

9.如权利要求8所述的一种样品晶界三维信息的获取方法，其特征在于，对相交表面进行振动抛光或电解抛光处理，去掉样品表面的应变层使其满足EBSD检测所需的表面条件。

10.如权利要求8所述的一种样品晶界三维信息的获取方法，其特征在于，将抛光处理好的样品用导电胶粘固定在用于获取裂纹/晶界三维信息的EBSD设备样品台的第一检测面上。