1.一种掺杂钙钛矿电池，其特征在于，包括：

FTO导电玻璃层（1）；

致密二氧化钛薄膜层（2），形成于所述FTO导电玻璃层（1）上；

介孔二氧化钛薄膜层（3），形成于所述致密二氧化钛薄膜层（2）上；

钙钛矿薄膜层（4），形成于所述介孔二氧化钛薄膜层（3）上；

空穴传输层（5），形成于所述钙钛矿薄膜层（4）上；

金电极层（6），形成于所述空穴传输层（5）上。

2.根据权利要求1所述的掺杂钙钛矿电池，其特征在于，所述钙钛矿薄膜层（4）为SrCl2掺杂钙钛矿薄膜。

3.权利要求1所述掺杂钙钛矿电池的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤一、提供FTO导电玻璃；

步骤二、将二异丙氧基双乙酰丙酮钛加入无水正丁醇中，摇匀后旋涂到FTO导电玻璃上，经450℃-500℃高温煅烧，形成致密二氧化钛薄膜层（2）；

步骤三、用二氧化钛和无水乙醇配制成溶液旋涂于致密二氧化钛薄膜层（2）上，经450℃-500℃高温煅烧，形成介孔二氧化钛薄膜层（3）；

步骤四、将碘化甲胺、碘化甲脒、溴化甲胺、溴化铅、碘化铅、氯化甲胺和氯化锶溶于二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺的混合液中，进行搅拌，得到钙钛矿前驱体溶液，将钙钛矿前驱体溶液旋涂到介孔二氧化钛薄膜层（3）上，进行退火处理，形成钙钛矿薄膜层（4）；

步骤五、将2,2,7,7-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴溶于氯苯中，摇匀后得到空穴传输层（5）溶液，将空穴传输层（5）溶液旋涂到钙钛矿薄膜层（4）上，形成空穴传输层（5）；

步骤六、采用真空蒸镀装置在空穴传输层（5）上蒸镀金电极，形成金电极层（6）。

4.根据权利要求3所述的掺杂钙钛矿电池的制备方法，其特征在于，步骤三中二氧化钛和无水乙醇的质量比1:4-10。

5.根据权利要求3所述的掺杂钙钛矿电池的制备方法，其特征在于，步骤四中二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺的体积比为1:4-5。