1.一种高导高强石墨烯铜基复合材料的制备方法，其特征是，包括以下步骤：对铜基体的表面进行预处理，获得纳米晶表面；

采用离子注入法将碳注入到铜基体表面，在铜基体表面得到碳的过饱和固溶体；

将铜基体多次叠加或多次对折，通过压力成型的方法得到层状结构的铜基材料；

将铜基材料加工成零件后进行再结晶退火处理。

2.根据权利要求1所述的高导高强石墨烯铜基复合材料的制备方法，其特征是，所述预处理的方法包括研磨、喷丸处理。

3.根据权利要求1所述的高导高强石墨烯铜基复合材料的制备方法，其特征是，所述纳米晶的晶粒尺寸为10 300nm。

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4.根据权利要求1所述的高导高强石墨烯铜基复合材料的制备方法，其特征是，所述离子注入法的参数包括碳原子的剂量为1.5×1012 1×1020cm-2，电压为40 50kv。

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5.根据权利要求1所述的高导高强石墨烯铜基复合材料的制备方法，其特征是，所述压力成型的方法包括轧制、挤压、旋压、锻造。

6.根据权利要求1所述的高导高强石墨烯铜基复合材料的制备方法，其特征是，所述压力成型在真空环境或在保护气中进行。

7.根据权利要求6所述的高导高强石墨烯铜基复合材料的制备方法，其特征是，所述保护气包括氩气、氮气。

8.根据权利要求1所述的高导高强石墨烯铜基复合材料的制备方法，其特征是，所述再结晶退火的温度为350 600℃。

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9.一种根据权利要求1 8任一项所述方法制备的高导高强石墨烯铜基复合材料，其特~征是，石墨烯铜基复合材料的铜基体为纯铜或铜合金，增强体为石墨烯，形成铜-石墨烯-铜的层状结构，石墨烯层厚度为0.4nm 8nm。

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