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专利号: 2019103826181
申请人: 东北石油大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 光学
更新日期:2024-10-29
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构,其特征在于:所述天线结构由三个纳米球以沿x=y轴对称的形式构成,三个纳米球的直径D为200-280nm,位于对称轴两侧的纳米球与位于对称轴心的纳米球之间的距离为0;所述纳米球的材质为硅。

2.根据权利要求1所述的一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构,其特征在于:所述纳米球的直径D为240nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构,其特征在于:所述纳米天线结构的背景折射率为常数1,硅纳米球三聚体纳米天线在外场的激发下,会产生局域表面等离子体共振现象。

4.根据权利要求1或2所述的一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构,其特征在于:所述学纳米天线结构的入射光为平面波,波矢平行于X轴方向,偏振平行于Y轴方向,磁场方向平行于Z轴。

5.根据权利要求1或2所述的一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构,其特征在于:所述纳米天线结构支持电偶极、电四级共振,磁偶极和环形偶极共振中的任意一种。

6.根据权利要求1或2所述的一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构,其特征在于:所述光学纳米天线结构中不同共振模式响应的耦合作用导致高介电材料硅纳米球三聚体结构磁热点的产生。