1.一种大面积转移制备纳米结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：以Al作为基底，采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板，所述单通AAO多孔纳米结构模板具有AAO/Al复合结构；

S2：对S1步骤中的单通AAO多孔纳米结构模板表面进行PMMA旋涂，得到PMMA/AAO/Al复合结构；

S3：将经过S2步骤处理的单通AAO多孔纳米结构模板漂浮于浓度不大于0.1mol/L的CuCl2溶液表面，以Al基底接触液面，在常温下去除Al基底后，CuCl2溶液变为CuCl2+AlCl3溶液，得到PMMA/AAO薄膜；

S4：将经过亲水处理的目标基片放入CuCl2+AlCl3溶液底部，使PMMA/AAO薄膜附着至目标基片上，进行AAO纳米结构转移；

S5：将经过S4步骤处理的目标基片取出，去除PMMA层，得到AAO单通膜层，再采用干法刻蚀制备得到双通AAO纳米多孔薄膜；

S6：以S5步骤制备得到的双通AAO纳米多孔薄膜为掩膜，再通过干法刻蚀在目标基片表面获得纳米结构；

或以S5步骤制备得到的双通AAO纳米多孔薄膜为模板，进行镀膜后，再去除双通AAO纳米多孔薄膜，以镀膜作为掩膜，再通过干法刻蚀在目标基片表面获得纳米结构。

2.根据权利要求1所述的一种大面积转移制备纳米结构的方法，其特征在于，所述S6步骤中的纳米结构为孔型、圆柱型、抛物线型、类圆锥型中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种大面积转移制备纳米结构的方法，其特征在于，所述S2步骤具体为：对S1步骤中的单通AAO多孔纳米结构模板进行两次旋涂，第一次旋涂采用5％～

10％PMMA-苯甲醚溶液进行填充及包覆，并于150℃条件下烘干，再采用15％～20％PMMA-苯甲醚溶液进行第二次旋涂，并于150℃条件下烘干。

4.根据权利要求3所述的一种大面积转移制备纳米结构的方法，其特征在于，所述第一次旋涂和第二次旋涂的转速均为2000～6000rad/min，持续时间均为1分钟。

5.根据权利要求1所述的一种大面积转移制备纳米结构的方法，其特征在于，所述S4步骤具体为：将经过亲水处理的目标基片放入CuCl2+AlCl3溶液底部，然后利用排水法排出CuCl2+AlCl3溶液，使PMMA/AAO薄膜随着CuCl2+AlCl3溶液以不大于0.5cm/s的速度均速下降，直至PMMA/AAO薄膜附着至目标基片表面，进行AAO纳米结构转移。

6.根据权利要求1所述的一种大面积转移制备纳米结构的方法，其特征在于，所述S5步骤具体为：将经过S4步骤处理的目标基片取出，去除PMMA层，得到AAO单通膜层，再采用RIE干法刻蚀，去除Al2O3阻挡层，在目标基片表面获得双通AAO纳米多孔薄膜。

7.根据权利要求6所述的一种大面积转移制备纳米结构的方法，其特征在于，所述AAO单通膜层的厚度不大于500nm。