1.一种纳米金属层陶瓷基板的制造方法，其特征在于，包括以下内容：(1)在陶瓷衬底表面沉积活性金属得到沉积活性金属过渡层的陶瓷基片；

(2)将步骤(1)得到的沉积活性金属过渡层的陶瓷基片放于石墨模具中，在陶瓷基片表面均匀地铺满纳米金属粉后置于放电等离子烧结炉中，通过石墨模具上下压头对试样施加‑1

20～40MPa的压力，抽真空，真空度优于10 Pa后以大于100℃/min的升温速率升至430～480℃并在该温度下保温小于等于300s，然后再以大于100℃/min的升温速率升温至500～1000℃保温小于等于600s，保温结束后随炉冷却至室温，即在陶瓷基片表面热压形成一层纳米金属层，纳米金属粉粒径小于等于200nm。

2.根据权利要求1所述纳米金属层陶瓷基板的制造方法，其特征在于：(1)中，所述陶瓷衬底包括Si3N4陶瓷、AlN陶瓷、Al2O3陶瓷。

3.根据权利要求1所述纳米金属层陶瓷基板的制造方法，其特征在于：(1)中，活性金属包括Ti、Zr、Hf、Nb、Cr、V中一种或多种。

4.根据权利要求1所述纳米金属层陶瓷基板的制造方法，其特征在于：(1)中，沉积活性金属过渡层的厚度为100～2000nm。

5.根据权利要求1所述纳米金属层陶瓷基板的制造方法，其特征在于：(2)中，所述纳米金属粉包括纳米铜粉及其有机包覆纳米颗粒、纳米铝粉及其有机包覆纳米颗粒、纳米银粉及其有机包覆纳米颗粒。

6.根据权利要求1所述纳米金属层陶瓷基板的制造方法，其特征在于：(2)中，纳米金属层的厚度小于等于3000μm。

7.如权利要求1‑6任一所述纳米金属层陶瓷基板的制造方法制备的纳米金属层陶瓷基板。