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专利号: 2019102663670
申请人: 中南大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-05-22
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种细晶钼板的快速制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:

(1)制粒:将平均粒径为10~100nm的钼粉加入硬脂酸有机溶剂中,混合均匀,喷雾干燥制粒,得到钼粒;

(2)压制:采用模压成形将步骤(1)所得钼粒压制成致密度大于60%的生坯;

(3)微波烧结:在微波烧结炉中,真空条件下将生坯快速加热至1500~1600℃并保温10~40min,得到致密度大于95%的烧结钼板坯;

(4)交叉轧制:在还原气氛下,将步骤(3)所得烧结钼板坯快速加热至1200~1400℃并保温20~40min,进行开坯交叉轧制,然后进行2~4道次加热轧制,每道次加热温度下调40~60℃,每道次加热轧制的变形量为20~25%,退火处理后,得到晶粒细小且均匀的钼板。

2.根据权利要求1所述的细晶钼板的快速制备工艺,其特征在于,步骤(1)中,硬脂酸有机溶剂为将硬脂酸溶于无水乙醇制得,硬脂酸有机溶剂的质量浓度为0.5~2wt%。

3.根据权利要求1所述的细晶钼板的快速制备工艺,其特征在于,步骤(1)中,钼粒的直径为0.4~1.2mm。

4.根据权利要求1所述的细晶钼板的快速制备工艺,其特征在于,步骤(3)中,生坯加热过程的升温速率为40~80℃/min。

5.根据权利要求1所述的细晶钼板的快速制备工艺,其特征在于,步骤(4)中,开坯交叉轧制为两道次,每道次交叉轧制变形量为25~35%。

6.根据权利要求1所述的细晶钼板的快速制备工艺,其特征在于,步骤(4)中,退火处理温度为800~900℃,保温时间为20~40min。

7.根据权利要求1所述的细晶钼板的快速制备工艺,其特征在于,步骤(4)中,还原气氛为氢气。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的细晶钼板的快速制备工艺制备得到的细晶钼板。