1.双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器，其特征在于，由渐变形探测器单元正面（7）、渐变形探测器单元背面（8）和高阻硅基底（14）组成；渐变形探测器单元正面（7）和渐变形探测器单元背面（8）位于高阻硅基底（14）相对的两平面上；渐变形探测器单元正面（7）包括第一渐变式P+阴极螺旋环（1），第一渐变式P+阴极螺旋环（1）由正面圆形区域、正面渐变区域（9）和正面方形区域组成；第一渐变式P+阴极螺旋环（1）内嵌有N+收集阳极（2）；渐变形探测器单元背面（8）包括第二渐变式P+阴极螺旋环（5），第二渐变式P+阴极螺旋环（5）由背面圆形区域、背面渐变区域（10）和背面方形区域组成；第二渐变式P+阴极螺旋环（5）的中心设有中间电极；

所述正面渐变区域（9）和背面渐变区域（10）均由圆形渐变为方形，且两者方形四角指向圆形的区域相邻两P+阴极螺旋环间设有弧长渐变的悬浮中间电极（22）；

所述第一渐变式P+阴极螺旋环（1）和第二渐变式P+阴极螺旋环（5）的每一阴极注入环上每隔90°设有一测试点（19）；

所述第一渐变式P+阴极螺旋环（1）和第二渐变式P+阴极螺旋环（5）上设有电极连接点；

16

所述第一渐变式P+阴极螺旋环（1）和第二渐变式P+阴极螺旋环（5）的掺杂浓度为10~

20 ‑3

10 cm ；

11 12 ‑3

所述高阻硅基底（14）的掺杂浓度4×10 2×10 cm 。

~

2.根据权利要求1所述的双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器，其特征在于，所述第一渐变式P+阴极螺旋环（1）与N+收集阳极（2）之间设有第一保护环；

所述第一渐变式P+阴极螺旋环（1）和第二渐变式P+阴极螺旋环（5）外均套接有第二保护环（11）。

3.根据权利要求2所述的双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器，其特征在于，所述第一渐变式P+阴极螺旋环最外环（4）和第二渐变式P+阴极螺旋环最外环（13）上均镀有第五铝层（21）；

所述第一渐变式P+阴极螺旋环第一环（3）上镀有第一铝层（16），N+收集阳极（2）上镀有第二铝层（17）；

所述第一保护环上镀有第三铝层（18）；

所述中间电极上镀有第四铝层（20），且第四铝层（20）与第二渐变式P+阴极螺旋环第一环（12）相接。

4.根据权利要求1 3任一项所述的双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器，其特征在于，~所述高阻硅基底（14）是N型高阻硅晶片，其厚度为300 500μm；

~

所述第一渐变式P+阴极螺旋环（1）、N+收集阳极（2）和第二渐变式P+阴极螺旋环（5）的厚度均为1μm。

5.如权利要求1所述的双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤S1、通过吸杂氧化工艺在N型高阻硅晶片上下表面生成厚度为4000 6000Å的二氧~化硅层，经光刻工艺将设计的探测器图形转移到二氧化硅层上；

步骤S2、通过双面刻蚀工艺将第一渐变式P+阴极螺旋环（1）、第二渐变式P+阴极螺旋环（5）、悬浮中间电极（22）、中间电极、第一保护环和第二保护环（11）区域的二氧化硅层刻蚀至1000Å；

步骤S3、将重掺杂P型离子注入被刻蚀的区域形成第一渐变式P+阴极螺旋环（1）、第二渐变式P+阴极螺旋环（5）、悬浮中间电极（22）、中间电极、第一保护环和第二保护环（11）；

步骤S4、通过光刻及刻蚀工艺，将N+收集阳极（2）区域的二氧化硅层刻蚀到底，然后注入重掺杂N型离子形成N+收集阳极（2）；

步骤S5、通过退火工艺1对注入的重掺杂P型离子和重掺杂N型离子进行激活；

步骤S6、通过光刻、刻蚀工艺，将第一渐变式P+阴极螺旋环（1）和第二渐变式P+阴极螺旋环（5）上的电极连接点和测试点（19）区域的二氧化硅层刻蚀到底；

步骤S7、通过磁控溅射工艺生成一层铝膜，通过光刻、铝腐蚀工艺，在第一渐变式P+阴极螺旋环（1）和第二渐变式P+阴极螺旋环（5）上需要镀铝用作电极连接点和测试点（19）区域生成铝层；

步骤S8、通过退火工艺2对探测器的损伤进行修复，加强铝层和硅的结合；

所述步骤S5的退火工艺1是在超纯氮气氛围中，温度600 800℃时，保温2 4h，最后在氮~ ~气氛围中降温至室温；

所述步骤S8的退火工艺2 是在氢气和氮气体积比为4:96的混合气体氛围中，温度400~

500℃时，保温5 10min，最后在氮气氛围中降温至室温。

~

6.根据权利要求5所述的双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤S1的吸杂氧化工艺是在氧化温度为1000 1200℃时，在氧气和三氯乙酸的混合~氛围中，维持5 7h后降温至600 800℃，在600 800℃的温度下维持15 20h，再升温至900~ ~ ~ ~ ~

1100℃并维持5 7h，最后在氮气氛围中降温至室温。

~