1.一种生产SiOx的装置，其特征在于，包括：反应单元，用于对加入的反应原料硅和/或碳与二氧化硅分步加热，分步使得原料中的低沸点杂质蒸发为气态杂质，原料反应生成气态的SiOx，其中1

气体出料单元，与反应单元连接，气体出料单元包括：气体出料管道和设置于气体出料管道上的加热单元，气体出料单元用于对由反应单元流出的气态物料进行输送并加热使其保持气态；

收集单元，与气体出料单元连接，收集单元用于接收由气体出料单元流出的气态物料；

调温机构，设置于收集单元内，调温机构用于调节收集单元内的温度，当收集单元降温时，进入到收集单元内的气态SiOx冷却为固态SiOx，收集单元上设置有第一出口、第二出口，气态杂质由第一出口排出，固态SiOx由第二出口排出；

抽真空单元，与收集单元的第一出口连接，抽真空单元用于对收集单元抽真空。

2.根据权利要求1所述的生产SiOx的装置，其特征在于，还包括：过滤单元，设置于气体出料单元的入口处，过滤单元用于对由反应单元流向气体出料单元的气态物料过滤除尘。

3.根据权利要求1所述的生产SiOx的装置，其特征在于，还包括：进料单元，包括：

固体进料单元，与反应单元连接，固体进料单元用于向反应单元固体进料；

气体进料单元，与反应单元连接，气体进料单元用于向反应单元内通入非氧化性气体提供流化气体，非氧化性气体与固体进料在反应单元内形成流化床。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的生产SiOx的装置，其特征在于，还包括：固体吸取单元，与收集单元的第二出口连接，固体吸取单元用于吸取收集单元内的固体。

5.根据权利要求4所述的生产SiOx的装置，其特征在于，还包括：储存单元，与固体吸取单元连接，储存单元用于接收固体吸取单元吸取的固体。

6.根据权利要求1～3、5任意一项所述的生产SiOx的装置，其特征在于，还包括：除尘机构，除尘机构的入口与收集单元的第一出口连接，除尘机构的出口与抽真空单元连接，除尘机构用于对气体除尘。

7.一种使用权利要求1～6任意一项所述的装置生产SiOx的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)启动抽真空单元抽真空，将反应原料硅和/或碳与二氧化硅加入到反应单元内，通过反应单元进行加热，加热温度低于原料硅和/或碳与二氧化硅反应的温度，且使得原料中的低沸点杂质蒸发为气态杂质；

2)控制气体出料单元加热，保持气态杂质仍为气态；

3)通过调温机构调节收集单元加热，保持气态杂质仍为气态，通过抽真空单元将气态杂质由第一出口抽出；

4)将反应单元的加热温度升温至原料硅和/或碳与二氧化硅反应的温度，原料硅和/或碳与二氧化硅反应生成气态的SiOx,或气态的SiOx和一氧化碳，其中1

5)控制气体出料单元加热，保持气态的SiOx仍为气态；

6)通过调温机构调节收集单元降温，使得气态的SiOx冷却为固态SiOx，固态SiOx由第二出口排出。

8.根据权利要求7所述的生产SiOx的方法，其特征在于，所述步骤1)中反应单元的加热温度为100～1000℃；

所述步骤2)中气体出料单元的加热温度为100～1000℃；

所述步骤3)中收集单元的加热温度为200～900℃。

9.根据权利要求7或8所述的生产SiOx的方法，其特征在于，所述步骤4)中反应单元的加热温度为1100～2000℃；

所述步骤5)中气体出料单元加热温度为800～1500℃；

所述步骤6)中收集单元的温度为100～900℃，收集单元的温度低于气体出料单元的温度。

10.根据权利要求7或8所述的生产SiOx的方法，其特征在于，所述步骤6)中收集单元的温度为：从收集单元入口进入为温度由高到低的温度梯度。