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专利号: 2019102275942
申请人: 皖西学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-16
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结,其特征在于,Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结由两部分组成:顶端是Si2Te3纳米线,呈圆锥状,长度为10um;主干是Si2Te3/Si复合纳米线结构,直径为300nm,长度为50um。

2.根据权利要求1所述的一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结的制备方法,其特征在于,制备方法包括以下步骤:(1)首先将碲粉和硅粉置入陶瓷坩埚中;

(2)将步骤(1)的陶瓷坩埚放入石英管炉中;

(3)将含有金颗粒的二氧化硅/硅衬底放置在石英管炉内下游地方;

(4)将石英管炉抽真空至<0.1mTorr,并用氮气冲洗,直至将石英管炉内的空气排除干净,再调节石英管炉中的真空度和载气流量;

(5)将石英管炉在20℃min-1下加热至850℃后停止加热,并保持3-5分钟,然后将衬底迅速冷却至室温。

3.根据权利要求2所述的一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结的制备方法,其特征在于,所述碲粉为300目,纯度为99.997%,质量为100毫克;所述硅粉为325目,纯度为99%,质量为100毫克。

4.根据权利要求2所述的一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,将所述陶瓷坩埚放入所述石英管炉的中间位置。

5.根据权利要求2所述的一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,将含有金颗粒的二氧化硅/硅衬底放置在距离石英管炉中间位置下游10cm处。

6.根据权利要求2所述的一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,石英管炉中真空度为9.8Torr,载气流量为15sccm。