1.一种无需助粘剂的瞬态胶带转印法，其特征在于，包括如下步骤：

1）采用光刻与反应离子刻蚀工艺，在SOI基片上形成100‑200nm厚的单晶硅薄膜孤岛；

2）采用湿法刻蚀工艺，将含有单晶硅薄膜孤岛的基片放入BOE溶液中浸泡5‑10min，刻蚀掉基片上单晶硅薄膜孤岛以外的部分所暴露的埋氧化层；

3）采用光刻工艺，在单晶硅薄膜孤岛边缘制作锚点，以防止后续完全刻蚀埋氧化层后单晶硅薄膜的位移和脱落；

4）采用湿法刻蚀工艺，将制有锚点的基片放入49%HF溶液中1‑2h，完全刻蚀掉埋氧化层，使单晶硅薄膜掉落在衬底上,并被锚点钳位；

5）取出瞬态胶带，将该瞬态胶带与4）所得基片耦合，再将瞬态胶带与基片剥离，以使瞬态胶带获取100‑200nm厚的单晶硅薄膜；所述瞬态胶带为可溶于丙酮的非弹性材料；

6）将带有单晶硅薄膜的瞬态胶带与任意接收基片直接耦合，并将该耦合获得的体系放入丙酮中浸泡3min，以使瞬态胶带溶解，形成单晶硅薄膜/接收基片界面以使得所述单晶硅薄膜被所述接收基片获取；所述接收基片包括AlGaN/GaN衬底基片或Ga2O3基片或GaAs基片；

7）将浸泡后的基片用去离子水冲洗，并用氮气吹干，再采用等离子去胶工艺，去除该基片上的胶带残留物，得到洁净的基片，完成转印。

2.根据权利要求1所述的方法，其中1）中的反应离子刻蚀工艺，其参数设置为：气体流量BCl3:Cl2=60：60sccm，刻蚀功率选取150W。