1.负载有Pd的钴修饰的二硫化钼，其特征在于：该负载有Pd的钴修饰的二硫化钼为超薄二维片状结构。

2.根据权利要求1所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼，其特征在于：该负载有Pd的钴修饰的二硫化钼中超薄二维片状结构的片层厚度小于5nm。

3.根据权利要求1或2所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，该方法为：将钴修饰的二硫化钼Co‑MoS2纳米片与二次蒸馏水混合，超声处理后，加入钯源，逐步升温至60℃，并在这一温度下反应得到含有Co‑MoS2负载Pd纳米片，经分散沉降、离心分离得到含Co‑MoS2负载Pd超薄二维纳米片的产物。

4.根据权利要求3所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，所述的钯源为硝酸钯Pd(NO3)2·2H2O。

5.根据权利要求4所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，各组分的添加比例为，钴修饰的二硫化钼Co‑MoS2纳米片0.2mmol，二次蒸馏水30mL，Pd(NO3)2·

2H2O 0.1mmol。

6.根据权利要求3所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，所述超声处理1小时。

7.根据权利要求3所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，反应后采用无水乙醇分散沉降。

8.根据权利要求3所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，分散沉降、离心分离重复4‑5次。

9.根据权利要求3所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，还包括有真空干燥步骤。

10.根据权利要求3所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，所述钴修饰的二硫化钼纳米片的合成方法为：室温15‑35℃下将超薄二硫化钼纳米片与钴源混合，搅拌均匀后，逐步升温至180℃，并在这一温度下反应得到含有Co‑MoS2纳米片的产物，经分散沉降、离心分离得到Co‑MoS2纳米片。

11.根据权利要求10所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，所述钴源为硝酸钴Co(NO3)·6H2O。

12.根据权利要求11所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，硝酸钴Co(NO3)·6H2O的添加量为0.5mmol，超薄二硫化钼纳米片的添加量为0.5mmol。

13.根据权利要求10所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，在

180℃条件下反应4小时。

14.根据权利要求10所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，所述搅拌为磁力搅拌，所述搅拌时间为30分钟。

15.根据权利要求10所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，反应后先采用无水乙醇和二次蒸馏水体积比1:1混合液分散沉降，然后再用无水乙醇和正庚烷体积比1:1混合液分散沉降。

16.根据权利要求10所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，分散沉降、离心分离重复4‑5次。

17.根据权利要求10所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，还包括有真空干燥步骤：将离心分离得到Co‑MoS2纳米片进一步真空干燥。

18.根据权利要求10所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，二硫化钼纳米片的合成方法为：将钼源、硫源与二次蒸馏水、丙酸溶液混合，搅拌至混合均匀后，逐步升温至180℃，并在这一温度下反应得到含有MoS2的纳米晶。

19.根据权利要求18所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，在

180℃的条件下反应4小时。

20.根据权利要求18所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，所述的钼源为钼酸钠Na2MoO4·2H2O，所述的硫源为硫脲CS(NH2)2。

21.根据权利要求20所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，各组分的添加比例为Na2MoO4·2H2O0.5mmol，CS(NH2)2 3mmol，二次蒸馏水16mL，丙酸8mL。

22.根据权利要求18所述的负载有Pd的钴修饰的二硫化钼的合成方法，其特征在于，所述搅拌为磁力搅拌，所述搅拌时间为10分钟。

23.权利要求1所述的负载Pd的钴修饰的二硫化钼在制备燃料电池催化剂中的应用。