1.一种扇出形晶圆激光隐形切割方法，依次包括以下步骤：a）提供一半导体晶圆，其具有相对的正面和背面，所述正面上形成有多个器件，所述多个器件分别具有电极；

b）在所述正面上形成重布线层和铜柱凸块，所述重布线层包括多层低k介质层和多层布线层，所述多层低k介质层和多层布线层交替设置，所述铜柱凸块形成于最上层的布线层之上；

c）形成聚合物层，所述聚合物层覆盖所述重布线层和铜柱凸块；

d）将一支撑载体附接于所述聚合物层上；

e）沿着切割道，利用激光从所述背面入射，对所述重布线层的所述多层低k介质层进行隐形切割，形成隐形切割槽，所述隐形切割槽至少将所述多层低k介质层隔断；

f）从所述背面进行激光直切，形成分离槽，所述分离槽延伸穿过所述隐形切割槽并将所聚合物层隔断；

g）去除所述临时载体，得到单体化的扇出形芯片，并进行研磨，使得所述铜柱凸块露出。

2.根据权利要求1所述的扇出形晶圆激光隐形切割方法的制造方法，其特征在于：所述隐形切割槽部分伸入所述聚合物层内。

3.根据权利要求1所述的扇出形晶圆激光隐形切割方法的制造方法，其特征在于：所述聚合物层为高分子防水材料，具体包括环氧树脂、聚酰亚胺等。

4.根据权利要求1所述的扇出形晶圆激光隐形切割方法的制造方法，其特征在于：所述隐形切割槽的宽度大于所述分离槽的宽度。

5.根据权利要求1所述的扇出形晶圆激光隐形切割方法的制造方法，其特征在于：所述分离槽包括所述隐形切割槽的部分弧形切割面。

6.根据权利要求1所述的扇出形晶圆激光隐形切割方法的制造方法，其特征在于：在步骤f）中，激光直切切割所述聚合物层时，部分聚合物流到所述部分弧形切割面上，对所述重布线层进行侧面保护。