1.一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制方法，其特征在于：当变压器外接电器电路的功率因素在0.4‑0.6时，N2绕组线的起绕点连接至变压器的第一引脚，当变压器外接电器电路的功率因素在0.6‑0.9时，N2绕组线的起绕点连接至变压器的第五引脚，所述N2绕组线的终止端不连接，所述的变压器外接电器电路包括整流兀形滤波电路、PWM控制及辅助电路、尖峰吸收电路和二次侧整流滤波电路，其特征在于：所述整流兀形滤波电路的输入端接入

100—264V交流电压，所述整流兀形滤波电路与PWM控制及辅助电路电性连接，所述PWM控制及辅助电路分别与尖峰吸收电路和变压器电路电性连接，所述尖峰吸收电路和变压器电路电性连接，所述变压器电路和二次侧整流滤波电路电性连接，所述整流兀形滤波电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻RL1、电感L1、电容C1和电容C2，所述二极管D1的正向与熔断器F1串联，所述二极管D1的反向分别与二极管D2的反向接通和电阻RL1以及电感L1并联，所述电阻RL1和电感L1均与电容C2并联，所述二极管D2的正向与100—264V交流电压的火线连接，所述二极管D3的反向与熔断器F1串联，且所述二极管D3的正向与二极管D4的正向串联，所述PWM控制及辅助电路包括芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、二极管D6、电容C4、三极管Q1和电容C7，所述电阻R1与整流兀形滤波电路电性连接，所述电阻R1和电阻R2串联，所述电阻R2分别与电阻R10和电容C4连接，所述芯片U1的引脚5与电阻R10串联，所述芯片U1的引脚4与电阻R8串联，所述电阻R8与高频变压器电路电性连接，所述芯片U1的引脚1分别与电容C7和电阻R5并联，所述电阻R5与三极管Q1的发射极连接，所述三极管Q1的基极与芯片U1的引脚2连接，所述三极管Q1的集电极与尖峰吸收电路电性连接，所述芯片U1的引脚3与电阻R6串联，所述电阻R6连接在三极管Q1和电阻R5所在的电路上，所述尖峰吸收电路包括电阻R11、电容C3和二极管D5，所述电阻R11与PWM控制及辅助电路连接，且电阻R11与电容C3并联后与二极管D5的反向连接，所述二极管D5的正向与三极管Q1的集电极连接，所述变压器电路包括初级线圈N1、初级线圈N2、次级线圈N3、初级线圈N4和初级线圈N5，当变压器外接电器电路的功率因素在0.4‑0.6时,所述初级线圈N2绕组线的起绕点接在A点上，当变压器外接电器电路的功率因素在0.6‑0.9时,所述初级线圈N2绕组线的起绕点接在B点上，且所述初级线圈N2的另一个接线端形成自由端，所述二次侧整流滤波电路包括电容C7和电容C6。

2.根据权利要求1所述的一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制方法，其特征在于：当功率因素在0.4‑0.6时，N2绕组匝数为5至60匝之间,当功率因素在0.6‑0.9时，N2绕组匝数为

20至60匝之间。

3.根据权利要求1所述的一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制方法，其特征在于：所述的N2绕组线用单股或多股线并绕达到密绕一层。

4.一种根据权利要求1所述的抑制电磁干扰高频变压器的绕制方法制造的变压器，包括变压器骨架，变压器骨架上从内到外依次绕制有N1绕组、N2绕组、N3绕组、N4绕组、N5绕组，所述的N1绕组、N2绕组、N4绕组、N5绕组组成初级绕组，所述的N3绕组组成次级绕组，当外接电器电路的功率因素在0.4‑0.6时，所述N2绕组线的起绕点连接至变压器骨架上的第一引脚，当外接电器电路的功率因素在0.6‑0.9时，所述N2绕组线的起绕点连接至变压器骨架上的第五引脚，所述N2绕组线的终止端形成自由端。

5.根据权利要求4所述的抑制电磁干扰高频变压器的绕制方法制造的变压器，其特征在于：所述N1绕组线的起绕点连接至变压器的第三引脚，终止端连接至变压器的第一引脚，所述N4绕组线的起绕点连接至变压器的第四引脚，终止端连接至变压器的第五引脚，所述N5绕组线的起绕点连接至变压器的第二引脚，终止端连接至变压器的第三引脚，所述N3绕组线的起绕点连接至变压器的第七引脚，终止端连接至变压器的第八引脚。