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专利号: 2019102186012
申请人: 武汉工程大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-11-19
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种碳化硅/石墨烯纳米片状复合材料制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)制备石墨烯纳米片和一氧化硅粉末混合分散液,所述混合分散液中石墨烯与一氧化硅的摩尔比为(2‑1):(1‑2.5);

2)对所述混合分散液进行干燥得到前驱体;

3)将所述前驱体在真空度为0.03‑0.1MPa,温度为1000‑1250℃条件下煅烧,得到碳化硅/石墨烯纳米片粗产物;

4)对所述粗产物进行除硅处理得到碳化硅/石墨烯纳米片复合材料。

2.根据权利要求1所述的碳化硅/石墨烯纳米片状复合材料制备方法,其特征在于,步骤3)中前驱体的煅烧温度为1050‑1200℃,升温速率为4‑6℃/min,煅烧时间为1‑24h。

3.根据权利要求1所述的碳化硅/石墨烯纳米片状复合材料制备方法,其特征在于,步骤3)中前驱体煅烧的真空度为0.05MPa‑0.08MPa。

4.根据权利要求1所述的碳化硅/石墨烯纳米片状复合材料制备方法,其特征在于,步骤1)的混合分散液中的分散溶剂为N‑甲基吡咯烷酮或N‑N二甲基甲酰胺。

5.根据权利要求1所述的碳化硅/石墨烯纳米片状复合材料制备方法,其特征在于,步骤1)中石墨烯与一氧化硅的摩尔比为(2‑1):(1.5‑2)。

6.根据权利要求1‑5任一所述的碳化硅/石墨烯纳米片状复合材料制备方法,其特征在于,步骤4)中除硅处理包括氢氟酸溶液浸泡洗涤或者碱溶液浸泡处理。

7.一种碳化硅/石墨烯纳米片状复合材料,其特征在于,由权利要求1‑6任一所述的碳化硅/石墨烯纳米片状复合材料制备方法制备得到。