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专利号: 2019102094218
申请人: 广东乐芯智能科技有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-09-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种可穿戴设备整机电流测试方法,所述方法包括,

S1,不拆机切断所述可穿戴设备自身的电池供电电路以及充电电路;

S2,外接具有带有电流测试单元的电源电路;

S3,查看所述可穿戴设备待机的第一电流;

S4,第一芯片连接移动终端或服务器,保持屏幕关闭,测试第二电流值;根据所述第一电流值和所述第二电流值来计算第一芯片保持连接的第三电流值;

S5,同步所述可穿戴设备的数据至移动终端或服务器,测试数据传输且屏幕关闭时的第四电流值,根据所述第四电流值和所述第三电流值计算第一芯片传输数据的第五电流值;

S6,关闭第一芯片,打开所述可穿戴设备的第二芯片,关闭屏幕,测试第六电流;根据所述第一电流值和所述第六电流值来计算第二芯片保持连接的第七电流值;

S7,利用第二芯片同步数据到移动终端或服务器,测试数据传输且屏幕关闭时的第八电流,根据所述第八电流值和所述第七电流值,得到第二芯片数据传输的第九电流值;

S9,同时打开第一芯片和第二芯片,关闭屏幕,测试此时的第十电流,若所述第十电流与所述第三电流和第七电流之和的差值小于第一电流阈值,则判断第一芯片和第二芯片连接电流合格;若否,则判断第一芯片和第二芯片同时连接存在干扰;

S10,在所述S9的“电流合格”基础上进行,打开第一芯片数据传输,关闭屏幕,测试此时的第十一电流,若所述第十一电流与所述第五电流值和第七电流值之和的差值小于第二电流阈值,则判断第一芯片数据传输对第二芯片的连接无干扰;若否,则判断第一芯片数据会影响第二芯片的连接;

S11,在所述S9的“电流合格”基础上进行,打开第二芯片数据传输,关闭屏幕,测试此时的第十二电流,若所述第十二电流与所述第三电流值和第九电流值之和的差值小于第三电流阈值,则判断第二芯片数据传输对第一芯片的连接无干扰;若否,则判断第二芯片数据传输会影响第一芯片的连接;

S12,在所述S10的“无干扰”和S11的“无干扰”的基础上,同时打第一芯片数据传输和第二芯片传输,测试此时的第十三电流,若所述第十三电流与所述第五电流值和第九电流值之和的差值小于第四电流阈值,则判断第一芯片传输和第二芯片数据传输之间无干扰;若否,则判断第一芯片传输和第二芯片数据传输相互干扰。

2.根据权利要求1所述的一种可穿戴设备整机电流测试方法,其特征在于,在所述S1步骤中,所述可穿戴设备电源电路包括锂电池B1、充电接口、充电芯片U5、降压LDO芯片U6,所述锂电池B1连接所述充电芯片U5,所述充电芯片U5连接所述充电接口;

所述锂电池B1连接所述降压LDO芯片U6,所述降压LDO芯片U6连接所述充电接口;

在所述锂电池B1与所述充电芯片U5之间,还设置有第一P-MOS开关;

在所述锂电池B1与所述降压LDO芯片U6之间,还设置有第二P-MOS开关;

所述第一P-MOS开关的栅极连接高电平输入单元。

3.根据权利要求2所述的一种可穿戴设备整机电流测试方法,其特征在于,所述第一P-MOS开关的源极连接所述锂电池B1,漏极连接所述充电芯片;所述第一P-MOS开关的栅极连接第一电阻R19后接地。

4.根据权利要求2所述的一种可穿戴设备整机电流测试方法,其特征在于,所述第二P-MOS开关的漏极连接所述锂电池B1,栅极连接所述高电平输入单元,源极连接所述降压LDO芯片U6;所述第二P-MOS开关的栅极连接第二电阻R22后接地。

5.根据权利要求2所述的一种可穿戴设备整机电流测试方法,其特征在于,所述高电平输入单元为单片机U7。

6.根据权利要求5所述的一种可穿戴设备整机电流测试方法,其特征在于,所述单片机U7的连接蓝牙芯片和/或所述单片机U7的连接按键开关和/或触摸开关。

7.根据权利要求1所述的一种可穿戴设备整机电流测试方法,其特征在于,在所述S2步骤中,带有电流测试单元的电源电路接入到所述可穿戴设备的电路中设置有可串联的电阻。

8.根据权利要求1所述的一种可穿戴设备整机电流测试方法,其特征在于,所述第一芯片可以是蓝牙芯片、WIFI芯片、NB-IOT芯片和GSM芯片中的任一个;所述第二芯片可以是异于所述第一芯片的蓝牙芯片、WIFI芯片、NB-IOT芯片和GSM芯片中的任一个。

9.根据权利要求1或8所述的一种可穿戴设备整机电流测试方法,其特征在于,在S9中同时打开大于2数量的多个芯片,重复步骤S9至S12,判断多个芯片中,某一个芯片的数据传输或者多个芯片的数据传输是否会对其他芯片的连接或数据传输产生干扰。

10.根据权利要求1所述的一种可穿戴设备整机电流测试方法,其特征在于,所述第一电流阈值、第二电流阈值、第三电流阈值和第四电流阈值均大于等于所述第一电流值。