1.一种In-Bi-Sb相变薄膜材料，其特征在于，所述In-Bi-Sb的结构通式为InxBiySb100-x-y，其中0.1

2.根据权利要求1所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料，其特征在于，10≤x<30，15≤y<

40。

3.根据权利要求1所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料，其特征在于，所述In-Bi-Sb为In10Bi15Sb75、In15Bi20Sb65、In20Bi25Sb55或In25Bi30Sb45。

4.根据权利要求1所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料，其特征在于，所述In-Bi-Sb相变薄膜材料的厚度为150～250nm。

5.根据权利要求1所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料，其特征在于，所述In-Bi-Sb相变薄膜材料的厚度为200nm。

6.一种权利要求1所述的In-Bi-Sb相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)磁控溅射的准备，将洗净的待溅射的基片放置在样品盘上，将InSb靶材、BiSb靶材分别安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，使用高纯氩气作为溅射气体；

(2)磁控溅射制备InxBiySb100-x-y相变薄膜：

清洁InSb靶材和BiSb靶材表面，然后打开InSb靶材和BiSb靶材上的射频电源进行共溅射，生成InxBiySb100-x-y相变薄膜材料。

7.根据权利要求6所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)具体为：a、将空基托旋转到InSb靶位，打开InSb靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始对InSb靶材表面进行溅射，清洁InSb靶材表面；

b、InSb靶材表面清洁完成后，关闭InSb靶材上所施加的射频电源，将空基托旋转到BiSb靶位，开启BiSb靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始对BiSb靶材表面进行溅射，清洁BiSb靶材表面；

c、将待溅射的样品盘打开，同时打开InSb靶材和BiSb靶材上的射频电源，设定好溅射的功率，调整好靶材倾斜角度，设置通入的气体流量和气压，开始共溅射，生成InxBiySb100-x-y相变薄膜材料。

8.根据权利要求6所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述高纯氩气中Ar的体积百分比≥99.999％，高纯氩气的流量为70SCCM～80SCCM，高纯氩气溅射气压为0.60Pa～0.80Pa。

9.根据权利要求6所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述磁控溅射所采用射频电源的功率为100W～300W。

10.一种权利要求1～5任一项所述的In-Bi-Sb相变薄膜材料在相变存储器中的应用。