1.一种硅表面镀层的制备工艺，其特征在于，该工艺包含：

(1)将单晶硅试样放入SnCl2/HCl溶液中进行敏化反应，使硅表面吸附锡离子；

(2)将步骤(1)得到的敏化试样浸泡在PdCl2/HCl/HF溶液中进行活化反应，使试样表面形成Pd金属；

(3)将步骤(2)处理得到的活化试样浸泡在无电镀镍溶液中进行镀镍；

(4)将镀镍后试样在H2/Ar环境中热处理，形成镍硅化合物，若存在未反应的镍，则将其去除；

(5)将试样粘在铜片上，电镀负极接试样上的铜片，放入钴钌溶液中，将钴钌合金电镀在试样上，钴钌合金镀层的厚度至少为0.090μm；其中，所述钴钌溶液包含：CoSO4、RuCl3、H3NSO3和H2SO4，该溶液在60℃下pH值为1.7；

(6)将电镀正极接试样上的铜片，将试样放入电镀铜溶液中电镀，该电镀铜溶液的pH值为8.5，待电镀结束后将试样放入H2/Ar环境中在进行退火处理，退火处理根据步骤(5)中钴钌合金镀层的厚度控制，以防止铜与硅生成化合物，完成镀层制备。

2.根据权利要求1所述的硅表面镀层的制备工艺，其特征在于，当步骤(5)中钴钌合金镀层的厚度为0.090～0.186μm时，退火处理温度小于或等于500℃；当步骤(5)中钴钌合金镀层的厚度为0.187～0.224μm时，退火处理温度小于或等于600℃，当步骤(5)中钴钌合金镀层的厚度为0.225～0.250μm时，退火处理温度小于或等于700℃。

3.根据权利要求1所述的硅表面镀层的制备工艺，其特征在于，在步骤(1)中，所述SnCl2/HCl溶液中SnCl2的质量和HCl的体积比为0.5～2g：1mL；在步骤(2)中，所述PdCl2/HCl/HF溶液中PdCl2的质量、HCl的体积和HF的体积比为(0.01～0.02g)：3mL：100mL。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的硅表面镀层的制备工艺，其特征在于，在步骤(3)中，所述无电镀镍溶液包含：NiSO4、Na2C4H4O4、NaH2PO2和Pb(NO3)2，该溶液在70℃下的pH值为5，其采用质量比为(15～25)：16：27：0.001的NiSO4·6H2O、Na2C4H4O4·6H2O、NaH2PO2·H2O和Pb(NO3)2制备。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的硅表面镀层的制备工艺，其特征在于，在步骤(4)和(6)中，所述H2/Ar环境中H2的体积分数为5％，所述热处理的温度为500℃。

6.根据权利要求1-3中任意一项所述的硅表面镀层的制备工艺，其特征在于，在步骤(5)中，所述电镀的温度为60℃，电压设定10V，电流设定0.09A；在步骤(6)中，所述电镀的温度为25℃，电压设定10V、电流为0.04A。

7.根据权利要求1-3中任意一项所述的硅表面镀层的制备工艺，其特征在于，在步骤(5)中，所述钴钌溶液采用质量比为421：16.6：38.84：34.3的CoSO4·7H2O、RuCl3、H3NSO3和H2SO4。

8.一种硅表面镀层，其特征在于，该镀层包含：依次镀在硅表面的Pd层、镍硅层、钴钌合金镀层和镀铜层，其中，镀铜层具有2θ值为43.2°的Cu(111)、2θ值为50.4°的Cu(200)和2θ值为74.1°的Cu(220)晶面。

9.根据权利要求8所述的硅表面镀层，其特征在于，该镀层采用如权利要求1-7中任意一项所述的硅表面镀层的制备工艺获得。

10.一种硅表面镀层的用途，其特征在于，该硅表面镀层用于替代太阳能电池板中的导电胶。