1.一种CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料，其特征在于，包括CH薄膜材料和Sb薄膜材料，且CH薄膜材料和Sb薄膜材料交替排列，其中CH薄膜材料为聚乙炔。

2.根据权利要求1所述的CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料，其特征在于，所述CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料的厚度为45～55nm。

3.一种如权利要求1所述的CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射法，以CH靶和Sb靶为溅射靶材，交替沉积CH薄膜材料和Sb薄膜材料，形成CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法的溅射气体为Ar气，溅射功率为200‑260W，溅射温度为150‑200℃，所述磁控溅射法的衬底为氧化硅基片，本底‑4真空度小于1×10 Pa。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述Ar气的Ar的体积百分比99.999％以上，气体流量为20‑40sccm，溅射气压为0.4Pa。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述Ar气的气体流量为30sccm。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法的溅射功率为230W，溅射温度为180℃。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述CH靶和Sb靶形状为圆柱形，厚度为4mm。

9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法的具体步骤包括如下：(1)清洗氧化硅基片；

(2)安装好溅射CH靶与Sb靶，设定溅射功率、溅射Ar气流量、溅射气压和所述基片温度；

(3)制备CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料：

(a)将空基托分别旋转到CH靶与Sb靶靶位，分别打开靶上的AC电源，开始对CH靶材和Sb靶材表面进行溅射，清洁靶位表面；

(b)CH靶与Sb靶表面清洁完成后，关闭CH靶和Sb靶靶位上所施加的交流电源，将待溅射的基片旋转到Sb靶位，打开Sb靶靶位上的交流电源，开始溅射Sb薄膜；

(c)待Sb靶溅射结束后，将待溅射基片旋转到CH靶靶位，开启CH靶靶位交流电源，开始溅射CH薄膜；

(d)重复步骤(b)和(c)，获得CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料。

10.一种如权利要求1或2所述的CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料在相变存储器中的应用。