1.一种具有中空褶皱结构的电极的制备方法，其特征在于，所述方法是将真菌接种到碳素电极的内表面及外表面培养，再利用高温退火的方法得到具有中空褶皱结构的电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述真菌为单一菌或复合菌。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述真菌为霉菌、蕈类或酵母中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述霉菌为黑曲霉。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳素电极为全钒液流电池的碳素电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述碳素电极包括碳毡、石墨毡、碳布或碳纸。

7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤：(1)将真菌接种到碳素电极的内表面及外表面，于25-35℃条件下培养24-240h，得长有真菌的碳素电极；

(2)将长有真菌的碳素电极于40-150℃烘干至恒重，然后置于有氩气气氛的石英管中，于700-1100℃恒温保持0.5-3h，冷却至15-30℃，再经过洗涤、干燥后，即得目标电极。