1.一种超高压非隔离直发器专用集成模块，其特征在于：至少设有二半波交流电源输入接脚、一工作电压输出接脚、一个直流电压输出接脚、一MCU单片机芯片、由MCU单片机芯片内多个I/O脚组成功能复合接脚、可控硅芯片内一闸极接脚以及一被控主极接脚，该集成模块包含有：一芯片，该芯片包括一内部供电电路单元，其与半波交流电源输入接脚相连接，其包含有一第一软开关、一恒流源及一启动电路，当芯片上电时，电流经该第一软开关及该恒流源，可对芯片外部的储能电容进行充电，当达到启动电路上限参考电压，该第一软开关即关闭对外部储能电容的充电路径，并提供芯片内部的工作电压；

一电容充电电路单元，其与交流电源输入端相连接，其包含有一交流检测钳位电路及一第二软开关，当该交流检测钳位电路检测到低压工作区电位时，即开启该第二软开关，继续对外部的储能电容以低频非连续性脉冲继续充电，以提供内部MCU电源以及外部元器件电源使用；

一MCU单片机芯片，MCU单片机芯片的电源与地线、超高压供电驱动芯片电源接脚相连接，MCU单片机芯片可提供多个多功能I/O复合脚，分别与外部软件刻录、功能定义、对外连接用；

一双向可控硅芯片，具有一主极、一被控主极及一闸极，主极与集成模块其中一半波交流电源输入接脚相连接，被控主极与外部负载端相连接，闸极与控制信号输入端相连接。

2.根据权利要求1所述的一种超高压非隔离直发器专用集成模块，其特征在于：该半波交流电源输入接脚所输入的半波交流电流利用一二极体，将全波的交流电流转成半波的交流电流。

3.根据权利要求1所述的一种超高压非隔离直发器专用集成模块，其特征在于：该电容充电电路单元包含有一第三软开关，该第三软开关的一端与一第一储能电容相连接，另一端连接有一第二储能电容，该第一储能电容的能量可经由第三软开关释放给第二储能电容，以确保负载端足够能量供应。

4.根据权利要求3所述的一种超高压非隔离直发器专用集成模块，其特征在于：第一软开关、第二软开关及第三软开关均为金属氧化物半导体场效电晶体。

5.根据权利要求1所述的一种超高压非隔离直发器专用集成模块，其特征在于：该集成模块还包括一主动泄放电路单元，该主动泄放电路单元与交流电源输入端相连接，利用主动泄放电路，提供电流源泄放通道，以确保输入能量能在充电期间，对外部储能电容进行充电。

6.根据权利要求1所述的一种超高压非隔离直发器专用集成模块，其特征在于：该电容充电电路单元再第二软开关处设有一过热保护电路以及一第一欠压过压保护电路。

7.根据权利要求1所述的一种超高压非隔离直发器专用集成模块，其特征在于：该电容充电电路单元在第三软开关处设有一第二欠压过压保护电路以及一过电流限制电路。