1.一种实现POE端口防雷击保护功能的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括依次级联的压敏电阻保护电路和半导体放电管保护电路，其中：所述的压敏电阻保护电路跨接于所述的POE端口的输出端正负极之间，用于吸收大部分雷击能量；

所述的半导体放电管保护电路跨接于所述的POE端口的供电端抽头正负极之间，用于吸收残余浪涌能量。

2.根据权利要求1所述的实现POE端口防雷击保护功能的电路结构，其特征在于，所述的压敏电阻保护电路包括第一级压敏电阻(MOV1)，所述的第一级压敏电阻(MOV1)跨接于所述的POE端口的输出端正负极之间，所述的POE端口的输出端正负极与所述的半导体放电管保护电路的输入端相连接。

3.根据权利要求1所述的实现POE端口防雷击保护功能的电路结构，其特征在于，所述的半导体放电管保护电路包括依次串接于所述的POE端口的供电端正负极的保护地之间的第二级第一压敏电阻(MOV2)、半导体放电管(TSS1)和第二级第二压敏电阻(MOV3)，且所述的半导体放电管(TSS1)跨接于所述的POE端口的供电端抽头正负极之间，所述的POE端口的供电端正负极两端与压敏电阻保护电路的输出端相连接。

4.根据权利要求1所述的实现POE端口防雷击保护功能的电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括共模电感L，所述的共模电感L的两端分别与所述的压敏电阻保护电路和所述的半导体放电管保护电路相连接。

5.根据权利要求4所述的实现POE端口防雷击保护功能的电路结构，其特征在于，所述的压敏电阻保护电路包括第一级压敏电阻(MOV1)，所述的第一级压敏电阻(MOV1)跨接于所述的POE端口的输出端正负极之间，且所述的第一级压敏电阻与所述的共模电感L的输入端相并联跨接，所述的半导体放电管保护电路与所述的共模电感L的输出端相并联跨接。

6.根据权利要求4所述的实现POE端口防雷击保护功能的电路结构，其特征在于，所述的半导体放电管保护电路包括依次串接于所述的POE端口的供电端正负极的保护地之间的第二级第一压敏电阻(MOV2)、半导体放电管(TSS1)和第二级第二压敏电阻(MOV3)，且所述的半导体放电管(TSS1)跨接于所述的POE端口的供电端抽头正负极之间，所述的半导体放电管(TSS1)与所述的共模电感L的输出端相并联跨接。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的实现POE端口防雷击保护功能的电路结构，其特征在于，所述的共模电感为5毫亨、4.5×10毫米的插件共模电感。

8.根据权利要求2或5所述的实现POE端口防雷击保护功能的电路结构，其特征在于，所述的第一级压敏电阻为FNR-10K471型的氧化锌压敏电阻。

9.根据权利要求3或6所述的实现POE端口防雷击保护功能的电路结构，其特征在于，所述的第二级第一压敏电阻和第二级第二压敏电阻均为FNR-10K471型的氧化锌压敏电阻。

10.根据权利要求3或6所述的实现POE端口防雷击保护功能的电路结构，其特征在于，所述的半导体放电管为BS3500M型的半导体放电管。