1.一种新型磁导航传感器地址的物理连接结构，其特征在于：包括外部接口、光耦、MCU控制器和磁导航传感器地址，所述外部接口通过PIN7引脚和PIN8引脚与所述光耦连接，所述光耦与焊接在控制板上的所述MCU控制器相连接，所述MCU控制器控制所述磁导航传感器地址；所述外部接口上设有地址引脚，所述PIN7引脚和所述PIN8引脚为地址引脚，所述PIN7引脚和所述PIN8引脚通过光耦连接至所述MCU，所述PIN7引脚和所述PIN8引脚分别连接至高电平或低电平，所述高电平为24V或悬空，所述低电平为0V。

2.根据权利要求1所述新型磁导航传感器地址的物理连接结构，其特征在于：所述外部接口的两个地址引脚组成四种选择。

3.根据权利要求1所述新型磁导航传感器地址的物理连接结构，其特征在于：所述外部接口可以为引线连接，一组所述地址引脚对应连接一个磁导航传感器。

4.根据权利要求1所述新型磁导航传感器地址的物理连接结构，其特征在于：所述磁导航传感器通过环氧树脂封装在表面处理的金属外壳内，所述外部接口露在环氧树脂的外侧。

5.根据权利要求4所述新型磁导航传感器地址的物理连接结构，其特征在于：所述外部接口连接至外部控制器。