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专利号: 2018116098351
申请人: 西南大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-12-17
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种如式(Ⅰ)所示的钴基块体非晶合金,CoaWbBc                 (Ⅰ);

其中,a、b和c为对应元素的原子百分比;

a=54~70;b=15~30;c=15~18;a+b+c=100。

2.根据权利要求1所述的钴基块体非晶合金,其特征在于,所述Co的原子百分比为55~

65。

3.根据权利要求1所述的钴基块体非晶合金,其特征在于,所述W的原子百分比为20~

30。

4.根据权利要求1所述的钴基块体非晶合金,其特征在于,所述a=63,b=21,c=16。

5.根据权利要求1所述的钴基块体非晶合金,其特征在于,所述a=59,b=26,c=15。

6.根据权利要求1所述的钴基块体非晶合金,其特征在于,所述a=56,b=28,c=16。

7.权利要求1所述的钴基块体非晶合金的制备方法,包括以下步骤:A)按照式(Ⅰ)所示的钴基块体非晶合金的各元素的原子百分比进行配料;

B)将步骤A)得到的原料进行熔炼,得到母合金锭;

C)将所述母合金锭进行水冷铜模吸铸、快速凝固冷却,得到钴基块体非晶合金;

CoaWbBc                 (Ⅰ);

其中,a、b和c为对应元素的原子百分比;

a=54~70;b=15~30;c=15~18;a+b+c=100。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述熔炼的过程具体为:将步骤A)得到的原料放入真空电弧炉中,然后抽真空至4×10-3Pa以下,再充入0.05MPa氩气,继续抽真空至4×10-3Pa以下,再充入0.2MPa氩气;在质量百分比高纯度为99.999%的氩气气氛保护下、1500℃~2500℃的熔炼温度、熔炼5~7次,得到母合金锭。

9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述快速凝固冷却的冷却速度为102~

103K/s。