1.一种水处理SnO2薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：(1)导电基底的预处理

选取大小适中的ITO衬底，清洗、干燥后利用紫外‑臭氧处理15～30min，备用；

(2)配制SnO2胶体水溶液

将SnO2胶体水溶液用去离子水稀释，配制质量百分浓度为1～10wt％的SnO2胶体水溶液；

(3)旋涂制备SnO2薄膜

取步骤(1)预处理后的导电基底，采用去离子水作为一次镀膜液体，通过旋涂法在所述导电基底表面制备一层水膜；然后取步骤(2)所述的SnO2胶体水溶液作为二次镀膜液体，立即将SnO2胶体水溶液滴加在水膜表面，并迅速进行二次旋涂，使SnO2胶体水溶液均匀扩散铺展在水膜表面，得到SnO2预制层薄膜，经退火处理，得到均匀平整的SnO2薄膜。

2.根据权利要求1所述的水处理SnO2薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述SnO2胶体水溶液优选为质量百分浓度为15wt％的商用Alfa‑SnO2胶体水溶液。

3.根据权利要求1所述的水处理SnO2薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)稀释后的SnO2胶体水溶液的质量百分浓度优选为1～7.5wt％。

4.根据权利要求1所述的水处理SnO2薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述SnO2预制层薄膜的退火处理条件为：退火温度为80～100℃，退火时间为0.5h。

5.权利要求1～4任一项 所述方法制得的水处理SnO2薄膜在制备钙钛矿太阳能电池中的应用。

6.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述电池从下至上依次包括：底电极、电子传输层、钙钛矿功能层、空穴传输层和金属对电极，其中：所述电子传输层材料为权利要求1～

4任一项 所述方法制得的水处理SnO2薄膜。

7.权利要求6所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述底电极材料优选为ITO，所述钙钛矿功能层材料优选为Cs0.05FA0.81MA0.14PbI2.55Br0.45；所述空穴传输层材料优选为Spiro‑OMeTAD；所述金属对电极材料优选为Au。

8.权利要求6所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述底电极的厚度为300～

400nm；所述电子传输层的厚度为10～30nm；所述钙钛矿功能层的厚度为400～800nm；所述空穴传输层厚度为150～250nm；所述金属对电极的厚度为40～100nm。

9.权利要求7所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：(1)导电基底的预处理

选取大小适中的导电衬底，清洗、干燥后利用紫外‑臭氧处理15～30min，备用；

(2)制备SnO2薄膜

将商业SnO2胶体水溶液用去离子水稀释，配制质量百分浓度为1～10wt％的SnO2胶体水溶液，备用；

取步骤(1)预处理后的导电基底，采用去离子水作为一次镀膜液体，通过旋涂法在所述导电基底表面制备一层水膜；然后将所述的SnO2胶体水溶液作为二次镀膜液体，立即将SnO2胶体水溶液滴加在水膜表面，并迅速进行二次旋涂，使SnO2胶体水溶液均匀扩散铺展在水膜表面，得到SnO2预制层薄膜，退火处理后得到均匀平整的SnO2薄膜；

(3)制备Cs0.05FA0.81MA0.14PbI2.55Br0.45钙钛矿薄膜配制钙钛矿前驱体溶液：将PbI2、PbBr、MABr、FAI和CsI按比例依次加入到体积比为4：1的DMF与DMSO组成的混合溶剂中，室温搅拌8～12h后过滤，备用；

将步骤(2)所得样品用紫外‑臭氧预处理后，利用反溶剂旋涂法将所述钙钛矿前驱体溶液旋涂在所述SnO2薄膜表面，然后经烘烤处理，得到Cs0.05FA0.81MA0.14PbI2.55Br0.45钙钛矿薄膜；

(4)制备空穴传输层

在步骤(3)所述Cs0.05FA0.81MA0.14PbI2.55Br0.45钙钛矿薄膜表面旋涂一层Spiro‑OMeTAD层；

(5)在步骤(4)所述空穴传输层表面蒸镀金属电极，即得到所述的钙钛矿太阳能电池。

10.根据权利要求9所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述的反溶剂优选为乙酸乙酯。